[发明专利]一种高侧横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种高侧横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：

P型衬底；

深N阱，形成于所述P型衬底中；

P阱，形成于所述深N阱中；

P-体区，形成于包括有第一区域和第二区域的所述P阱中的所述第一区域；

N-漂移区，形成于所述第二区域内的第三区域；

N-漏极保护区，形成于所述第二区域内的与所述第三区域具有重叠的第四区域。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

场氧化层，形成于包括有第五区域和第六区域的所述衬底表面的所述第六区域，其中，所述第六区域属于所述第三区域；

栅氧化层，形成于所述第五区域，其中，所述第五区域包括有第七区域和第八区域，所述第七区域的所述栅氧化层位于所述P-体区上方，所述第八区域的所述栅氧化层位于所述N-漏极保护区上方，所述第一区域属于所述第七区域，所述第八区域属于所述第四区域；

多晶硅层，形成于所述第六区域的所述场氧化层和所述第七区域的所述栅氧化层表面的第九区域。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

N+掺杂区，形成于所述N-漏极保护区和所述P-体区内；

P+掺杂区，形成于所述P-体区内。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第九区域中位于所述场氧化层上的所述多晶硅层的长度具体为0.8~4.0微米，所述第九区域中位于所述P-体区上方的所述多晶硅层的长度具体为0.4~1.5微米。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，未覆盖有所述多晶硅层的所述场氧化层的区域的长度具体为0.2~2.0微米。

6.如权利要求1-5任一权项所述的半导体器件，其特征在于，所述深N阱的深度为所述P阱的深度的1.5~3倍，所述P阱的深度为所述N-漂移区的深度的2~8倍。

7.一种高侧横向双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在P型衬底中制作深N阱；

在所述深N阱中制作P阱，其中，所述P阱包括有第一区域和第二区域；

在所述P阱中制作第一N-掺杂区；

在所述P阱中制作P-掺杂区和第二N-掺杂区；

通过对所述第一N-掺杂区、所述P-掺杂区和所述第二N-掺杂区进行扩散处理，形成对应所述第一N-掺杂区的N-漂移区、对应所述P-掺杂区的P-体区和对应所述第二N-掺杂区的N-漏极保护区；

其中，所述P-体区位于所述第一区域，所述N-漂移区位于所述第二区域内的第三区域，所述N-漏极保护区位于所述第二区域内的与所述第三区域具有重叠的第四区域。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述P阱中制作第一N-掺杂区之后，所述方法还包括：

在包括有第五区域和第六区域的所述衬底表面的所述第六区域形成场氧化层，其中，所述第六区域属于所述第三区域；

在所述第五区域形成栅氧化层，其中，所述第五区域包括有第七区域和第八区域，所述第七区域的所述栅氧化层位于所述P-体区上方，所述第八区域的所述栅氧化层位于所述N-漏极保护区上方，所述第一区域属于所述第七区域，所述第八区域属于所述第四区域；

在所述第六区域的所述场氧化层和所述第七区域的所述栅氧化层表面的第九区域形成多晶硅层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述通过扩散处理，形成对应所述P-掺杂区的P-体区、对应所述第一N-掺杂区的N-漂移区和对应所述第二N-掺杂区的N-漏极保护区之后，所述方法还包括：

在所述N-漏极保护区和所述P-体区内形成N+掺杂区；

在所述P-体区内形成P+掺杂区。