[发明专利]石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法

权利要求书

1.一种制造石墨烯器件的方法，该方法包括：

在第一基板上形成石墨烯层；

在所述第一基板上形成器件部分，所述器件部分包括所述石墨烯层，其中形成所述器件部分包括：形成分别接触所述石墨烯层的第一区和第二区的源电极和漏电极；形成覆盖所述石墨烯层、所述源电极和所述漏电极的栅绝缘层；以及在所述栅绝缘层上且在所述源电极与所述漏电极之间形成栅极；

将第二基板附接到所述器件部分上；以及

移除所述第一基板；

在移除所述第一基板之后，将第三基板附接在所述器件部分上，其中所述器件部分设置在所述第二基板与所述第三基板之间；以及

去除整个所述第二基板。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成覆盖所述器件部分的绝缘层；和

蚀刻部分的所述绝缘层和部分的所述栅绝缘层以暴露所述源电极、所述漏电极和所述栅极。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中附接所述第三基板包括选择玻璃基板、塑料基板和聚合物基板之一作为所述第三基板。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中附接所述第三基板包括选择柔性基板作为所述第三基板。

5.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：

在所述器件部分与所述第三基板之间形成保护层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在移除所述第一基板之后，形成覆盖所述器件部分的绝缘层，其中所述器件部分设置在所述绝缘层与所述第二基板之间。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一基板与所述石墨烯层之间形成催化剂层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述第一基板与所述催化剂层之间形成中间层。

9.根据权利要求7所述的方法，其中移除所述第一基板包括蚀刻所述催化剂层。

10.根据权利要求8所述的方法，其中移除所述第一基板包括蚀刻所述催化剂层和所述中间层之一。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在附接所述第二基板之前，在所述第一基板上形成覆盖所述器件部分的保护层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中附接所述第二基板包括选择聚合物基板作为所述第二基板。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一基板上形成包括多个所述器件部分的器件层；和

通过图案化所述器件层而分离所述多个器件部分。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在所述第一基板与所述器件层之间形成牺牲层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中移除所述第一基板包括通过在所述多个器件部分之间注入蚀刻溶液而蚀刻所述牺牲层。

16.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述牺牲层包括选择金属层或绝缘层作为所述牺牲层。