[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1) 将待处理的硅片经酸液或碱液腐蚀，在硅片表面形成微米级的绒面结构；

(2) 将步骤(1)得到的硅片进行气体腐蚀，在所述微米级的绒面结构上进一步形成纳米级的绒面结构；

气体腐蚀所用的气体包括氮氧化物气体、水蒸气和氟化氢；所述氮氧化物气体选自一氧化氮、二氧化氮和四氧化二氮中的一种或几种。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法，其特征在于：在进行所述步骤(2)之前，在硅片背面设置保护层。

3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法，其特征在于：所述保护层为氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的制备方法得到的晶体硅太阳能电池的绒面结构。