[发明专利]一种主动矩阵显示器件有效

专利信息
申请号: 201210499579.1 申请日: 2012-11-29
公开(公告)号: CN102967979A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 朱少鹏;邱勇;陈红;黄秀颀 申请(专利权)人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
主分类号: G02F1/153 分类号: G02F1/153;G09G3/34;G09F9/30
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 彭秀丽
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 主动 矩阵 显示 器件
【权利要求书】:

1.一种主动矩阵显示器件,包括背光模块与设置在背光模块上的像素单元层,其特征在于:所述像素单元层包括TFT模块和电致变色模块,每个像素单元包括TFT和电致变色器件;所述TFT与所述电致变色器件的阳极通过设置在所述TFT漏极上的连接孔相连接,所述TFT通过电压控制所述电致变色器件改变颜色和/或透射率;所述像素单元层中的TFT模块靠近所述背光模块设置。

2.根据权利要求1所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述像素单元层上设置有彩色滤光片。

3.根据权利要求1或2所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述背光源是有机电致发光器件(OLED)和/或发光电化学池(LEC)。

4.根据权利要求1或2所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述背光源是发光二极管(LED)和/或冷阴极萤光灯管(CCFL)。

5.根据权利要求1或2或4所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述背光模块还包括导光板。

6.根据权利要求3-5任一所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述TFT是非晶硅TFT、低温多晶硅TFT、有机TFT或者氧化物TFT。

7.根据权利要求1-6任一所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述电致变色器件包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极间的电致变色材料层和固态电解质层。

8.根据权利要求7所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述电致变色材料层为有机电致变色材料层。

9.根据权利要求8所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述电致变色材料层包括阳极显色聚合物层与阴极显色聚合物层,所述固态电解质层设置在所述阳极显色聚合物层与阴极显色聚合物层之间。

10.根据权利要求9所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述阳极显色聚合物和阴极显色聚合物不同,各自选自共轭高分子聚合物,和/或多种共轭高分子聚合物的混合物或共聚物。

11.根据权利要求10所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述共轭高分子聚合物为聚吡咯(PPy)及其衍生物、聚噻吩(PTh)及其衍生物或聚苯胺(PANI)及其衍生物。

12.根据权利要求9-11任一所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述固态电解质层是掺有碱金属或碱土金属可溶性盐的高分子凝胶。

13.根据权利要求12所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述固态电解质层是掺有锂盐的聚甲基丙烯酸甲酯、掺有锂盐的聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸)凝胶、掺有LiClO4的热塑性氯甲基环氧乙烷与环氧乙烷的共聚物中的一种或几种。

14.根据权利要求12或13所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述电致变色材料层通过电化学聚合、气相聚合、喷墨打印或喷铸的方法制备。

15.根据权利要求14所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述阳极显色聚合物层与所述阴极显色聚合物层的厚度均为100-5000nm。

16.根据权利要求15所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述阳极显色聚合物层与所述阴极显色聚合物层的厚度300-500nm。

17.根据权利要求12-15任一所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述固态电解质层通过丝网印刷、旋涂或喷墨打印的方法制备。

18.根据权利要求17所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述固态电解质层的厚度均为100-10000nm。

19.根据权利要求18所述的主动矩阵显示器件,其特征在于:所述固态电解质层为300-600nm。

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