[发明专利]一种易加工高强阻燃电缆及制备方法无效
申请号: | 201210499647.4 | 申请日: | 2012-11-29 |
公开(公告)号: | CN103044767A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 张元船;华齐东 | 申请(专利权)人: | 安徽徽宁电器仪表集团有限公司 |
主分类号: | C08L23/12 | 分类号: | C08L23/12;C08L83/04;C08K13/02;C08K3/22;C08K5/098;C08K5/524;H01B3/44;H01B7/295 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨小双 |
地址: | 239312 安徽省滁*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加工 高强 阻燃 电缆 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电缆技术领域,具体涉及一种高强易加工阻燃电缆及其制备方法。
背景技术
目前改善高分子材料的阻燃性能的方法是加入阻燃剂,有机阻燃剂发烟量大,而且还会释放大量高腐蚀性气体,所以基本上已经不被采用。现在大多采用氢氧化铝和氢氧化镁等无机添加剂为阻燃剂,但是无机添加剂的阻燃性不高,而且要大量加入,加工困难,而且会大大降低材料的力学性能。
因此,提供一种易加工,且强度高的阻燃电缆是本领域技术人员急需解决的问题。
发明内容
为了解决上述存在的诸多问题,本发明旨在提供一种易加工,且强度高的阻燃电缆。
本发明提供一种易加工高强阻燃电缆,该电缆的组分为:聚丙烯110-130份,阻燃剂15-25份,阻燃助剂65-85份,其中,所述阻燃剂为有机硅酮阻燃剂,所述阻燃助剂为硬脂酸镁和氢氧化镁。
进一步地,该电缆的组分为:聚丙烯115-125份,阻燃剂15-20份,阻燃助剂70-85份。
进一步地,该电缆的组分为:聚丙烯115-120份,阻燃剂16-20份,阻燃助剂70-80份。
进一步地,所述聚丙烯为高抗冲聚丙烯。
进一步地,它还包括1-3份的抗老化剂。
进一步地,所述抗老化剂为三亚磷酸酯。
进一步地,还包括3-8份的热稳定剂。
进一步地,所述热稳定剂为硬脂酸铝。
上述任一项所述的易加工高强阻燃电缆的制备方法,包括以下步骤:
a、按重量比称取原料备用;
b、将聚丙烯加入混料机中,通过喷淋装置加入有机阻燃剂,充分混合后再将阻燃剂助剂加入混匀;
c、将上述混合料投入挤出机中挤出和切粒。
进一步地,挤出机的温度设定为200-220℃。
本发明提供一种易加工高强阻燃电缆,该电缆的组分为:聚丙烯110-130份,阻燃剂15-25份,阻燃助剂65-85份,其中,所述阻燃剂为有机硅酮阻燃剂,所述阻燃助剂为硬脂酸镁和氢氧化镁,该电缆为易加工,且强度高的阻燃电缆,本发明还提供了该电缆的制备方法。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案:
实施例1
本发明提供一种易加工高强阻燃电缆,该电缆的组分为:聚丙烯110份,阻燃剂25份,阻燃助剂65份,其中,阻燃剂为有机硅酮阻燃剂,阻燃助剂为硬脂酸镁和氢氧化镁。
实施例2
本发明提供一种易加工高强阻燃电缆,该电缆的组分为:聚丙烯130份,阻燃剂15份,阻燃助剂85份,其中,阻燃剂为有机硅酮阻燃剂,阻燃助剂为硬脂酸镁和氢氧化镁。
实施例3
本发明提供一种易加工高强阻燃电缆,该电缆的组分为:聚丙烯120份,阻燃剂20份,阻燃助剂80份,其中,阻燃剂为有机硅酮阻燃剂,阻燃助剂为硬脂酸镁和氢氧化镁。
优选地,聚丙烯为高抗冲聚丙烯,它还包括2份的抗老化剂,抗老化剂为三亚磷酸酯;还包括5份的热稳定剂,热稳定剂为硬脂酸铝。
实施例4
本发明提供一种易加工高强阻燃电缆,该电缆的组分为:聚丙烯120份,阻燃剂20份,阻燃助剂80份,其中,阻燃剂为有机硅酮阻燃剂,阻燃助剂为硬脂酸镁和氢氧化镁。
优选地,聚丙烯为高抗冲聚丙烯,它还包括1份的抗老化剂,抗老化剂为三亚磷酸酯;还包括8份的热稳定剂,热稳定剂为硬脂酸铝。
实施例5
本发明提供一种易加工高强阻燃电缆,该电缆的组分为:聚丙烯120份,阻燃剂20份,阻燃助剂80份,其中,阻燃剂为有机硅酮阻燃剂,阻燃助剂为硬脂酸镁和氢氧化镁。
优选地,聚丙烯为高抗冲聚丙烯,它还包括3份的抗老化剂,抗老化剂为三亚磷酸酯;还包括3份的热稳定剂,热稳定剂为硬脂酸铝。
上述易加工高强阻燃电缆的制备方法,包括以下步骤:
a、按重量比称取原料备用;
b、将聚丙烯加入混料机中,通过喷淋装置加入有机阻燃剂,充分混合后再将阻燃剂助剂加入混匀;
c、将上述混合料投入挤出机中挤出和切粒。
优选地,挤出机的温度设定为200-220℃。
上面实施例只是对本发明进行了示例性的描述,显然本发明的实现并不受上述方式的限制,只要采用了发明的方法构思和技术方案进行的各种改进,或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均在本发明的保护范围内。
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