[发明专利]半导体开关及电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体开关，其特征在于，具备：

主元件，具有逆导性能，是高耐压的电压驱动型开关元件；

防逆流元件，与上述主元件相比较，耐压低；

高速续流二极管，连接上述主元件的负极和上述防逆流元件的负极而将上述主元件的正极作为正极端子，将上述防逆流元件的正极作为负极端子，在上述正极端子和上述负极端子之间以从上述负极端子向上述正极端子的方向为正向的方式进行连接，具有与上述主元件相同的耐压；及

预备电压施加电路，朝着在上述主元件的正极上施加正电压的方向进行连接，发生至少比上述主元件的耐压还低的电压脉冲，而且与上述主元件截止时期大致同步地输出上述电压脉冲。

2.根据权利要求1记载的半导体开关，其中，

上述防逆流元件是与上述主元件大致同步来进行导通及截止的电压驱动型开关元件。

3.根据权利要求1记载的半导体开关，其中，

上述防逆流元件是二极管。

4.根据权利要求1记载的半导体开关，其中，

上述预备电压施加电路与上述防逆流元件并联，朝着经由上述防逆流元件的正极及上述高速续流二极管而在上述主元件的正极上施加正电压的方向进行连接，发生比上述防逆流元件的耐压低的电压脉冲。

5.根据权利要求1记载的半导体开关，其中，

上述预备电压施加电路与上述主元件并联地连接，

还具备第2二极管，该第2二极管以从上述预备电压施加电路向上述主元件的正极的方向为正向的方式进行连接，且具有与上述主元件相同的耐压。

6.一种半导体开关，其中，

主元件，具有逆导性能，是高耐压的电压驱动型开关元件；

防逆流元件，是耐压比上述主元件低的电压驱动型开关元件，与上述主元件在大致同一时期进行导通及截止；

高速续流二极管，连接上述主元件的正极和上述防逆流元件的正极而将上述防逆流元件的负极作为正极端子，将上述主元件的负极作为负极端子，在上述正极端子和上述负极端子之间以从上述负极端子向上述正极端子的方向为正向的方式进行连接，具有与上述主元件相同的耐压；及

预备电压施加电路，与上述防逆流元件并联，朝着在上述防逆流元件的正极上施加正电压的的方向进行连接，发生比上述防逆流元件的耐压低的电压脉冲，而且与上述主元件或上述防逆流元件的栅极驱动信号截止的时期大致同步地输出上述电压脉冲。

7.根据权利要求1或6记载的半导体开关，其中，

上述主元件是MOSFET。

8.根据权利要求1或6记载的半导体开关，其中，

上述预备电压施加电路具备直流电压源和与上述直流电压源串联连接的半导体开关元件。

9.根据权利要求8记载的半导体开关，其中，

上述半导体开关元件是p沟道型MOSFET。

10.根据权利要求1或6记载的半导体开关，其中，

上述预备电压施加电路具备直流电压源、在初级电路上连接了上述直流电压源的绝缘变压器、及与上述绝缘变压器的次级电路连接的防逆流二极管。

11.根据权利要求7记载的半导体开关，其中，

上述主元件是具有超级结构造的纵型MOSFET。

12.根据权利要求1或6记载的半导体开关，其中，

上述主元件具有如下特性：与未在输出端子上施加电压时相比较，通过将上述主元件的耐压的1/20以下的电压施加在输出端子上，输出电容下降到1/10以下。

13.根据权利要求1或6记载的半导体开关，其中，

在上述主元件的正极及负极的两端，并联连接将从上述主元件的负极向正极的方向作为正向的高速二极管而构成。

14.根据权利要求8记载的半导体开关，其中，

上述防逆流元件是电压驱动型开关元件，

上述预备电压施加电路的上述直流电压源，从上述主元件或上述防逆流元件的栅极驱动用电源供给。

15.根据权利要求14记载的半导体开关，其中，

还具备升压电路，该升压电路配置在从上述主元件或上述防逆流元件的栅极驱动用电源向上述预备电压施加电路的上述直流电压源进行电力供给的路径。