[发明专利]红外遥控信号发射控制电路结构

权利要求书

1.一种红外遥控信号发射控制电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括：

振荡器，用以提供内部基准信号；

键扫描逻辑电路模块，分别连接所述的振荡器和外部遥控器键盘，用以根据用户按键动作产生键盘扫描波形信号；

至少二套掩膜只读存储器，每套所述的掩膜只读存储器均存储有一套编码规则信息；

选择逻辑电路模块，分别连接各套所述的掩膜只读存储器，用以根据控制信号选择其中一套掩膜只读存储器所存储的编码规则信息；

编码逻辑电路模块，分别连接所述的振荡器、键扫描逻辑电路模块和各套掩膜只读存储器，用以根据所选择的编码规则信息对所述的键盘扫描波形信号进行编码，产生包含控制信息的数字输出信号；

发射逻辑电路模块，连接所述的编码逻辑电路模块和外部红外发射装置，用以根据所述的数字输出信号控制所述的外部红外发射装置。

2.根据权利要求1所述的红外遥控信号发射控制电路结构，其特征在于，所述的各套掩膜只读存储器所存储的编码规则信息均包括各自独立的码型、系统码及按键码。

3.根据权利要求1所述的红外遥控信号发射控制电路结构，其特征在于，所述的发射逻辑电路模块包括N型MOS晶体管，所述的N型MOS晶体管的栅极连接所述的编码逻辑电路模块的数字输出信号，所述的N型MOS晶体管的源极接地，所述的N型MOS晶体管的漏极连接所述的外部红外发射装置。

4.根据权利要求3所述的红外遥控信号发射控制电路结构，其特征在于，所述的N型MOS晶体管的沟道宽长比大于1000。

5.根据权利要求3所述的红外遥控信号发射控制电路结构，其特征在于，所述的外部红外发射装置为发光二极管，所述的N型MOS晶体管的漏极连接所述的发光二极管的阴极，该发光二极管的阳极连接外部电源。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的红外遥控信号发射控制电路结构，其特征在于，所述的选择逻辑电路模块包括n位的用户选择输入端，该电路结构具有2ⁿ套掩膜只读存储器，用户通过所述的n位的用户选择输入端可输入n位二进制码，确定应用所述的2ⁿ套掩膜只读存储器中一套掩膜只读存储器所存储的编码规则信息。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的红外遥控信号发射控制电路结构，其特征在于，该电路结构具有m套掩膜只读存储器，所述的选择逻辑电路模块包括n位的用户选择输入端，以及m+n位地址总线，所述的n位的用户选择输入端和m套掩膜只读存储器均连接于所述的m+n位地址总线，用户通过所述的n位的用户选择输入端利用统一的掩膜只读存储器地址确定应用所述的m套掩膜只读存储器中一套掩膜只读存储器所存储的编码规则信息。