[发明专利]一种具有空穴传输层的高分子发光二极管的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光电器件的制造方法，尤其涉及一种发光二极管的制造方法。

背景技术

高分子发光二极管具有材料成本低廉，驱动电压低，主动发光，视角宽，能耗低等特点，更有易于大面积成型，发光波长可通过分子结构设计而进行调节等优势，可以广泛应用于高分辨全色平面显示器，也可以应用于聚合物太阳能电池。

当在高分子发光二极管两端加上正向偏压，空穴由正极注入到高分子发光层的价带并向负极迁移，电子由负极注入到高分子发光层的导带并向正极迁移。空穴和电子在迁移过程中互相俘获，复合成激子，激子态的电子发生辐射跃迁，能量以光子形式释放出去，实现电致发光。但是，现有技术中发光二极管仍存在一些缺陷，柔性发光二极管的制备工艺复杂，成本高，制备的发光二极管的发光性能不能满足需要，因此希望研发一种更好性能的有机/高分子发光二极管，效率高，制备工艺简单且成本低。

发明内容

本发明公开了一种高分子发光二极管的制造方法，该方法制备工艺简单、成本低且制得的发光二极管发光效率高。

本发明的高分子发光二极管的制造方法包括依次制备衬底、阳极、空穴传输层、高分子发光层和阴极，其中，

制备所述高分子发光层的材料包括如下步骤：

(1)式(II)的聚合物

在碱性环境下与巯基乙酸甲酯发生环化反应生成式(III)的聚合物

(2)式(III)的聚合物与酰卤缩合形成式(IV)的聚合物

(3)式(IV)的聚合物经碱去质子化后与碘代物反应得到式(V)的聚合物

(4)由(V)的聚合物经Suzuki偶联反应后用强碱皂化得到式(I)的聚合物作为高分子发光层

其中，R₁选自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C6-C14芳基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基；

R₂选自氢，C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基；

R₃选自氢，卤素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；

R₄选自氢，卤素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；

R₅选自氢，卤素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；

R₆选自氢，卤素，C1-C12烷基，C2-C12烯基，C6-C14芳基，C5-C14杂芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14杂芳基烷基，C3-C12杂环，C3-C7环烷基或C3-C7环烯基；