[发明专利]一种柔性有机发光二极管有效
申请号: | 201210499968.4 | 申请日: | 2012-11-29 |
公开(公告)号: | CN103000817A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 谭化兵;王振中 | 申请(专利权)人: | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 214177 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 有机 发光二极管 | ||
1.一种柔性有机发光二极管,其特征在于,所述柔性有机发光二极管的阳极为石墨烯复合阳极,包括石墨烯薄膜和金属涂层。
2.如权利要求1所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述柔性有机发光二极管依次包括:柔性基板(1)、阳极(2)、空穴注入层(3)、有机功能层(4)、电子注入层(5)和阴极(6),其中,所述阳极(2)为石墨烯复合阳极,包括石墨烯薄膜和金属涂层;
优选地,所述柔性有机发光二极管依次包括:柔性基板(1)、内光提取层(7)、阳极(2)、空穴注入层(3)、有机功能层(4)、电子注入层(5)和阴极(6),其中,所述阳极(2)为石墨烯复合阳极,包括石墨烯薄膜和金属涂层。
3.如权利要求1或2所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述石墨烯薄膜厚度为1~8层,更优选为1~6层,特别优选为1~5层;
优选地,所述金属涂层厚度为0.1~120nm,进一步优选为0.1~110nm,特别优选为0.1~100nm;
优选地,所述金属为铝、银、金、镍、铬或钼中的任意1种单质金属或至少2种金属构成的合金,特别优选为铝、银或金中的任意1种单质金属或至少2种金属构成的合金;
优选地,所述石墨烯薄膜为真空直接沉积薄膜或还原氧化石墨烯薄膜;
优选地,所述石墨烯薄膜通过掺杂沉积和/或沉积于金属纳米线上以降低表面电阻。
4.如权利要求3所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述真空直接沉积石墨烯薄膜的掺杂物为硝酸、盐酸或分散于硝基甲烷溶液的氯化金中的1种或至少2种的混合物,特别优选为分散于硝基甲烷溶液的氯化金;
优选地,还原氧化石墨烯的掺杂物为导电高分子材料,进一步优选为聚乙炔、聚咔唑、聚对苯、聚噻吩、聚吡咯或聚苯胺及它们的衍生物中的1种或至少2种的混合物,更优选为聚噻吩、聚吡咯或聚苯胺及它们的衍生物中的1种或至少2种的混合物,特别优选为聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐;
优选地,所述金属纳米线为不连续状态;优选地,所述金属纳米线为银纳米线。
5.如权利要求2-4任一项所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述柔性基板为塑料基板、超薄玻璃基板或超薄金属基板中的1种或至少2种结合的复合结构基板;
所述空穴注入层为具有空穴注入效能的有机材料、具有空穴注入效能的无机材料或具有空穴注入效能的复合结构中的任意1种;
优选地,所述具有空穴注入效能的有机材料为酞菁铜、4,4',4-三-[(N-苯基-N-2-萘基)胺基]三苯胺、掺杂聚噻吩、N,N'-双(三苯胺基)芴二胺衍生物、六氮杂三苯或聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐中的1种或至少2种的组合,特别优选为六氮杂三苯和/或聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐;
优选地,具有空穴注入效能的无机材料为氧化硅、氧化铜、氧化铽、氧化锌、氧化钇、氧化铌、氧化镨、氧化钼、氧化钨、氧化钒、氧化钽或氧化铝中的任意1种或至少2种的组合,进一步优选为氧化钼、氧化钨、氧化钒、氧化钽或氧化铝中的任意1种或至少2种的组合,特别优选氧化钼和/或氧化钨;
优选地,所述具有空穴注入效能的复合结构为有机材料的多层复合结构和/或有机材料与无机材料的多层复合结构,进一步优选为六氮杂三苯与4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]交替多层复合结构、六氮杂苯与氧化钼的多层复合结构或氧钛酞菁与氧化钒的多层复合结构中的任意1种。
6.如权利要求2-5任一项所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述内光提取层为氧化钽、氧化钼、氧化钨或氧化钒中的任意1种或至少2种的组合,特别优选氧化钽和/或氧化钼;
优选地,所述有机发光二极管器件有机功能层至少包括发光层,进一步优选所述有机功能层依次包括空穴传输层、发光层和电子传输层,特别优选所述有机功能层依次包括空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的柔性有机发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
(1)对柔性衬底进行清洗;
(2)在衬底之上制作石墨烯复合阳极并图案化;
(3)沉积空穴注入层材料于复合阳极之上;
(4)沉积有机功能层于空穴注入层之上;
(5)沉积电子注入层于有机功能层之上;
(6)沉积阴极于电子注入层之上,
(7)对器件进行柔性封装。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择