[发明专利]一种逆导型IGBT器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210500942.7 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855198A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;朱阳军;田晓丽;胡爱斌;卢烁今 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种逆导型IGBT器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
形成于所述半导体衬底下表面内的集电极，所述集电极包括并列设置的集电区和短路区；
形成于所述集电极表面的铝金属层，所述铝金属层至少覆盖所述集电区；
形成于所述铝金属层表面的钛金属层，所述钛金属层完全覆盖所述集电区和短路区。
2.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述短路区的形成工艺为普通退火时，所述铝金属层只覆盖所述集电区。
3.根据权利要求2所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述钛金属层形成于所述铝金属层和所述短路区表面，且完全覆盖所述集电区表面的铝金属层和所述短路区。
4.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述短路区的形成工艺为激光退火时，所述铝金属层完全覆盖所述集电区和短路区。
5.根据权利要求4所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述钛金属层形成于所述铝金属层表面，且完全覆盖所述集电区和短路区表面的铝金属层。
6.根据权利要求1-5任一项所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述逆导型IGBT器件为穿通型IGBT器件时，还包括：形成于所述半导体衬底内的缓冲层，且所述缓冲层与所述集电区以及短路区的上表面相邻。
7.一种逆导型IGBT器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底下表面内形成集电区，所述集电区表面形成有铝金属层；
在所述半导体衬底下表面内形成短路区，所述短路区与所述集电区并列形成于所述半导体衬底的下表面内；
在所述铝金属层与所述短路区的表面形成钛金属层，所述钛金属层完全覆盖所述铝金属层和短路区。
8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述集电区和短路区的形成工艺为普通退火。
9.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底下表面内形成集电区，所述集电区表面形成有铝金属层包括：
对所述半导体衬底进行P型离子注入，在所述半导体衬底的下表面内形成P型掺杂层；
在所述P型掺杂层的表面形成铝金属层；
将部分半导体衬底内的P型掺杂层和铝金属层完全去除，在所述半导体衬底下表面内形成集电区，所述集电区表面形成有铝金属层。
10.一种逆导型IGBT器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底下表面内形成并列设置的集电区和短路区；
在所述集电区和短路区表面形成铝金属层，所述铝金属层完全覆盖所述集电区和短路区；
在所述铝金属层表面形成钛金属层，所述钛金属层完全覆盖所述集电区和短路区。
11.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述集电区和短路区的形成工艺为激光退火。
12.根据权利要求7-11任一项所述的形成方法，其特征在于，所述逆导型IGBT器件为穿通型IGBT器件时，在所述半导体衬底下表面内形成集电区之前还包括：在所述半导体衬底内形成缓冲层，且所述缓冲层与所述集电区和短路区的上表面相邻。
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