[发明专利]优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法

权利要求书

1.一种优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

在对浅槽隔离进行顶部刻蚀时，调整刻蚀时间以获得不同刻蚀时间下的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽；

对不同刻蚀时间下得到的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽进行顶部圆化弧度测量，建立浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系；

根据器件的电性规格与浅沟槽顶部圆化弧度之间的趋势，得到不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度；

根据不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度以及浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系，计算并调节刻蚀时间，以精确控制并稳定器件的浅沟槽顶部圆化弧度。

2.如权利要求1所述的优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法，其特征在于，所述顶部圆化弧度测量采用的是光学线宽测量仪。

3.如权利要求1所述的优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法，其特征在于，所述电性规格指的是器件的击穿电压。

4.如权利要求1所述的优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法，其特征在于，所述浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系由以下公式定义：

T=b*H;

其中，T为刻蚀时间；H为浅沟槽顶部圆化弧度；b为计算系数。

5.如权利要求4所述的优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法，其特征在于，所述器件的电性规格与浅沟槽顶部圆化弧度之间的趋势由以下公式定义：

H=a*W;

其中，H为浅沟槽顶部圆化弧度；W为器件的电性规格；a为计算系数。