[发明专利]像素单元结构、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种像素单元结构，其特征在于，包括薄膜晶体管TFT、第一遮蔽层，所述第一遮蔽层与TFT有源层的漏极区域相对，所述第一遮蔽层连接至阵列基板的公共电极，与所述有源层的漏极区域之间形成电容。

2.根据权利要求1所述的像素单元结构，其特征在于，所述薄膜晶体管包括包括有源层、第二绝缘层、栅极、位于同一层的源极和漏极，

其中，所述源极连接所述像素单元结构的数据线和所述有源层的源极区域，所述漏极连接所述像素单元结构的像素电极和所述有源层的漏极区域。

3.根据权利要求1所述的像素单元结构，其特征在于，还包括与所述第一遮蔽层位于同一层的第二遮蔽层，所述第二遮蔽层与所述有源层上除去漏极区域的其他区域相对。

4.根据权利要求1至3任一所述的像素单元结构，其特征在于，所述像素单元结构还包括：

依次设置于所述第三绝缘层上的第四绝缘层、公共电极层、第五绝缘层和像素电极，所述第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层均具有过孔，各所述过孔填充有导电材料，且各所述过孔中填充的导电材料相通；或者

依次设置于所述第三绝缘层上的第四绝缘层、像素电极、第五绝缘层和公共电极层，所述第三绝缘层、第四绝缘层具有过孔，各所述过孔填充有导电材料，且各所述过孔中填充的导电材料相通；

其中，所述漏极通过所述相接的导电材料连接至所述像素电极上。

5.根据权利要求1至3任一所述的像素单元结构，其特征在于，所述有源层由单晶硅或经过轻掺杂处理的多晶硅，以及经过重掺杂处理的多晶硅间隔形成。

6.根据权利要求1至3任一所述的像素单元结构，其特征在于，所述像素单元结构具有至少一个栅极，所述有源层中的单晶硅或经过轻掺杂处理的多晶硅与所述栅极相对。

7.根据权利要求5所述的像素单元结构，其特征在于，所述有源层的源极区域和漏极区域的材质为经过重掺杂处理的多晶硅。

8.根据权利要求3所述的像素单元结构，其特征在于，所述第一遮蔽层和所述第二遮蔽层一体成型。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和多个位于所述衬底基板上的如权利要求1-8任一项所述的像素单元结构，

其中，各所述像素单元结构的第一遮蔽层分别连接至所述阵列基板的公共电极，

或

各所述像素单元结构的第一遮蔽层串联共同连接至所述阵列基板的公共电极。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。