[发明专利]一种修饰石墨烯薄膜的方法

权利要求书

1.一种修饰石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：

1）将金属离子溶液与形成在金属衬底上的石墨烯薄膜接触，接着吹干所述石墨烯薄膜及金属衬底，得到形成在金属衬底上并经过修饰的石墨烯薄膜；

2）在步骤1）之后获得的石墨烯薄膜上形成有机胶层；

3）利用腐蚀液去除所述金属衬底，得到有机胶层及经过修饰的石墨烯薄膜的结合体；

4）将所述结合体转移至目标衬底上，而后去除所述有机胶层，得到形成在目标衬底上的并经过修饰的石墨烯薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种修饰石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述步骤1）中的接触时间为0.1~60min。

3.根据权利要求1所述的一种修饰石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述金属离子溶液至少包含Ag、Pt、Au金属离子中的一种或任意几种。

4.根据权利要求1所述的一种修饰石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述金属衬底至少包括Fe、Co、Ni、Mo、Cu中的一种或任意几种的合金。

5.根据权利要求1所述的一种修饰石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述步骤2）中在石墨烯薄膜表面形成有机胶层的具体步骤为：先在所述石墨烯薄膜表面旋涂有机胶层，而后在150~190℃条件下进行烘干。

6.根据权利要求1或5所述的一种修饰石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述有机胶层至少包括聚甲基丙烯酸甲酯或聚二甲基硅氧烷。

7.根据权利要求1所述的一种修饰石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述腐蚀液至少包括HNO₃、浓H₂SO₄、FeCl₃、Fe(NO₃)₃、(NH₄)₂S₂O₈或KNO₃中的一种。

8.根据权利要求1所述的一种修饰石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述目标衬底至少包括介质膜、玻璃、蓝宝石、PET膜或半导体材料中的一种。

9.根据权利要求1所述的一种修饰石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述步骤4）中转移所述结合体至目标衬底的具体步骤为：先将所述结合体均匀铺展在目标衬底上使所述石墨烯薄膜与目标衬底表面紧贴在一起，而后在50~120℃条件下烘干。

10.根据权利要求1所述的一种修饰石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所属步骤4）中采用去胶溶剂去除所述有机胶层，其中，所述去胶溶剂至少包括氯仿、乙酸、乙酸乙酯或丙酮中的一种。