[发明专利]一种逆导型IGBT器件

权利要求书

1.一种逆导型IGBT器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

形成于所述半导体衬底内的缓冲层；

形成于所述缓冲层内的绝缘结构；

形成于所述缓冲层表面的集电极结构，所述集电极结构包括集电区和短路区；

其中，所述集电区和短路区的掺杂类型不同，且分别位于所述绝缘结构两侧。

2.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述绝缘结构的材料为SiO₂或Si₃N₄。

3.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述绝缘结构完全贯穿所述缓冲层。

4.根据权利要求3所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述绝缘结构的形成方法包括：

对所述缓冲层进行刻蚀，在所述缓冲层内形成凹槽；

对所述凹槽进行填充，形成绝缘结构。

5.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述绝缘结构部分贯穿所述缓冲层。

6.根据权利要求5所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述绝缘结构沿所述缓冲层到所述集电极结构方向上的高度在5μm-10μm的范围内。

7.根据权利要求1-6任一项所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述绝缘结构沿所述集电区到所述短路区方向上的宽度为在1μm-10μm的范围内。

8.根据权利要求3或5所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述绝缘结构的形成工艺为局部注氧工艺。

9.根据权利要求1-6任一项所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述绝缘结构还延伸至所述集电区与所述短路区之间。

10.根据权利要求9所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述逆导型IGBT器件的形成方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底内形成缓冲层；

在所述缓冲层表面形成集电极结构，所述集电极结构包括集电区和短路区；

在所述集电区和短路区的交界面处形成凹槽，所述凹槽贯穿所述集电极结构，并延伸至所述缓冲层中；

对所述凹槽进行填充，形成绝缘结构。