[发明专利]一种中小尺寸芯片提高亮度和良率的制造方法无效
| 申请号： | 201210502087.3 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103022279A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬 | 申请（专利权）人： | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B23K26/36 |
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| 地址： | 529728 广东省江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 中小 尺寸 芯片 提高 亮度 制造 方法 | ||
1.一种提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片切割崩裂制作方法，其特征在于：在蓝宝石背面镀有DBR光学反射膜，芯片背面切割深度小于25微米，崩裂方式为跳格劈裂方式。
2.根据权利要求1所述的提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：芯片的切割方式为隐形切割。
3.根据权利要求1所述的提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片切割劈裂制作方法，其特征在于：所述反射层材料可以是氧化物。
4.根据权利要求2所述的提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片制作方法，其特征在于：所述隐形切割工艺为背切工艺，劈裂跳劈方式。
5.根据权利要求1所述的提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：芯片四个侧壁的切割灼伤的吸光区颜色比较浅。
6.根据权利要求1-5任一项所述的提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：中小尺寸二极管芯片的厚度在120微米至200微米之间，中小尺寸二极管芯片的尺寸为其中一轴8~15微米芯片。
7.根据权利要求1-5任一项所述的提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：所述中小尺寸二极管芯片的切割深度为15微米~150微米。
8.根据权利要求1-5任一项所述的提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：所述中小尺寸二极管芯片的切割宽度为15微米～30微米。
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