[发明专利]包括具有漂移区和漂控区的半导体器件的半导体器件布置无效
| 申请号： | 201210502298.7 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103137704A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 具有 漂移 漂控区 半导体器件 布置 | ||
1. 一种包括半导体器件的半导体器件布置，所述半导体器件包括；
源区、漏区、体区以及漂移区，在半导体本体中，所述漂移区被布置在所述体区与所述漏区之间且所述体区被布置在所述源区与所述漂移区之间；
栅电极，其邻近于所述体区且被栅极电介质与所述体区介电绝缘；
漂移控制区，其邻近于所述漂移区且被漂移控制区电介质与所述漂移区介电绝缘；
与所述漏区的掺杂类型互补的掺杂类型的注入区；
漏电极，其毗邻所述漏区；以及
与所述漏区为相同掺杂类型但被更缓慢地掺杂的注入控制区，其中，所述注入控制区毗邻所述漂移控制区电介质，沿着所述漂移控制区在第一方向上延伸，并且在所述第一方向上毗邻所述漏区并且在不同于所述第一方向的第二方向上毗邻所述注入区。
2. 权利要求1的半导体器件布置，其中，所述注入区毗邻所述漏电极。
3. 权利要求1的半导体器件布置，其中，所述漏电极包括导电材料和半导体衬底中的一个。
4. 权利要求1的半导体器件布置，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
5. 权利要求1的半导体器件布置，其中，所述漏区毗邻所述漂移控制区电介质。
6. 权利要求1的半导体器件布置，其中，所述第一方向对应于所述漂移区中的所述半导体器件的电流流动方向。
7. 权利要求1的半导体器件布置，其中，所述第一方向对应于垂直于所述漂移区中的所述半导体器件的电流流动方向的方向。
8. 权利要求1的半导体器件布置，还包括与所述漏区为相同掺杂类型但比分别布置在所述漂移区与所述注入区和所述注入控制区之间的所述漂移区更高度地掺杂的场截止层。
9. 权利要求1的半导体器件布置，其中，所述半导体器件被实现为垂直半导体器件，其中，所述漂移区具有垂直方向、第一水平方向和不同于所述第一水平方向的第二水平方向，所述第一和第二水平方向垂直于所述垂直方向。
10. 权利要求9的半导体器件布置，其中，所述第一方向对应于所述垂直方向。
11. 权利要求10的半导体器件布置，其中，所述第二方向对应于所述漂移区的所述第一水平方向。
12. 权利要求11的半导体器件布置，其中，所述第一水平方向垂直于所述漂移控制区电介质与所述漂移区之间的界面。
13. 权利要求10的半导体器件布置，其中，所述第二方向对应于所述漂移区的所述第二水平方向。
14. 权利要求13的半导体器件布置，其中，所述第二水平方向平行于所述漂移控制区电介质与所述漂移区之间的界面。
15. 权利要求10的半导体器件布置，其中，所述第一方向对应于所述第一水平方向且所述第二方向对应于所述垂直方向，所述第一水平方向平行于所述漂移控制区电介质与所述漂移区之间的界面。
16. 权利要求1的半导体器件布置，其中，所述注入控制区的掺杂浓度对应于所述漂移区的掺杂浓度。
17. 权利要求1的半导体器件布置，其中，所述注入控制区的掺杂浓度不同于所述漂移区的掺杂浓度。
18. 权利要求17的半导体器件布置，其中，所述注入控制区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度。
19. 权利要求1的半导体器件布置，还包括被耦合到所述漂移控制区的偏置源。
20. 权利要求1的半导体器件布置，其中，所述栅电极毗邻所述漂移控制区或毗邻与所述源区的掺杂类型互补的掺杂类型的半导体区，所述半导体区毗邻所述漂移控制区。
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