[发明专利]半导体器件及半导体模块无效
申请号: | 201210504640.7 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103367333A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 北川光彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/58 | 分类号: | H01L23/58 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 半导体 模块 | ||
1.一种半导体器件,其特征在于,具备:
半导体基板,包括第1及第2主面,具有在上述半导体基板内形成的第1导电型的第1半导体层、在上述第1半导体层的上述第1主面侧的表面形成的第2导电型的第2半导体层、在上述第2半导体层的表面形成的上述第1导电型的第3半导体层、及在上述第1半导体层的上述第2主面侧的表面形成的上述第2导电型的第4半导体层;
控制电极,形成于上述半导体基板的上述第1主面侧;
第1主电极,形成于上述半导体基板的上述第1主面侧;
第2主电极,形成于上述半导体基板的上述第2主面侧;及
接合终端部,形成于上述半导体基板的上述第2主面侧,具有将上述第4半导体层包围的环状的平面形状。
2.根据权利要求1记载的半导体器件,其中,
上述半导体基板还具备在上述半导体基板的侧面形成的上述第2导电型的第5半导体层。
3.根据权利要求2记载的半导体器件,其中,
上述接合终端部形成在上述第4半导体层和上述第5半导体层之间。
4.根据权利要求2记载的半导体器件,其中,
上述半导体基板还具备在上述第1半导体层和上述第4半导体层之间形成的上述第1导电型的第6半导体层。
5.根据权利要求4记载的半导体器件,其中,
上述第5半导体层形成于上述半导体基板的侧面和上述第1主面,
上述第5及第6半导体层的一方,作为阴极层发挥作用,
上述第5及第6半导体层的另一方,作为阳极层发挥作用。
6.一种半导体模块,其特征在于,具备:
多个半导体芯片,上述半导体芯片分别具备包括第1及第2主面的半导体基板、及在上述半导体基板的上述第1主面侧形成的控制电极;
多个控制电路,与在上述半导体基板的上述第1主面侧形成的控制电极焊盘及感应焊盘相连接,经由上述控制电极焊盘在上述控制电极上施加控制电压,经由上述感应焊盘对上述半导体芯片内的状态进行检测;及
主动控制电路,根据基于上述半导体芯片内的状态进行的主动控制,控制上述控制电路。
7.根据权利要求6记载的半导体模块,其中,
上述半导体芯片分别还具备:
第1主电极,形成于上述半导体基板的上述第1主面侧;
第2主电极,形成于上述半导体基板的上述第2主面侧;及
接合终端部,形成于上述半导体基板的上述第2主面侧。
8.根据权利要求7记载的半导体模块,其中,
上述半导体基板具备在上述半导体基板内形成的第1导电型的第1半导体层、在上述第1半导体层的上述第1主面侧的表面形成的第2导电型的第2半导体层、在上述第2半导体层的表面形成的上述第1导电型的第3半导体层、及在上述第1半导体层的上述第2主面侧的表面形成的上述第2导电型的第4半导体层;
上述接合终端部具有将上述第4半导体层包围的环状的平面形状。
9.根据权利要求6记载的半导体模块,其中,
上述控制电路经由上述感应焊盘对上述半导体芯片内的电流、电压或温度进行检测。
10.根据权利要求6记载的半导体模块,其中,
还具备受光元件,该受光元件对保持从上述主动控制电路至上述控制电路的信号的光进行受光。
11.根据权利要求10记载的半导体模块,其中,
上述光包含对从上述主动控制电路至上述控制电路的信号进行保持的第1光成分、及至上述控制电路的供电用的第2光成分。
12.根据权利要求10记载的半导体模块,其中,
还具备与上述受光元件分立、且用于通过非接触供电来接受供电的受电部。
13.根据权利要求6记载的半导体模块,其中,
还具备发光元件,该发光元件发出对从上述控制电路至上述主动控制电路的信号进行保持的光。
14.根据权利要求6记载的半导体模块,其中,
上述多个半导体芯片之中的至少一个是串联连接K个半导体芯片而构成的,K是2以上的整数;
上述K个半导体芯片之中的至少一个半导体芯片,作为常闭型元件发挥作用。
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