[发明专利]平坦化处理方法

权利要求书

1.一种对衬底上形成的材料层进行平坦化的方法，包括：

在材料层中对于溅射的负载条件较高的区域中形成沟槽；以及

对材料层进行溅射，以使材料层平坦。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述衬底上形成有特征，所述材料层形成于衬底上覆盖所述特征，以及

所述材料层中由于之下的特征而存在的凸起部分对应于所述负载条件较高的区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述衬底上形成有非均匀分布的多个特征，并且特征分布较密的区域形成的沟槽数多于特征分布较疏的区域形成的沟槽数。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，特征分布较疏的区域形成的沟槽数为零。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，根据用来形成所述特征的掩模，来设计用来形成沟槽的掩模。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，利用Ar或N等离子体进行溅射。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述特征包括鳍，所述材料层包括电介质。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在溅射之后，该方法还包括：

进一步回蚀材料层，以露出鳍。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在进一步回蚀之后，该方法还包括：进行离子注入，以在鳍位于进一步回蚀后的材料层的表面下方的部分中形成穿通阻挡层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在离子注入之后，该方法还包括：

在材料层上形成横跨鳍的牺牲栅堆叠；

以牺牲栅堆叠为掩模，选择性刻蚀鳍，直至露出穿通阻挡层；

在鳍的露出部分上形成半导体层，用以形成源/漏区；以及

形成栅堆叠替代牺牲栅堆叠。

11.根据权利要求2所述的方法，其中，所述特征包括鳍，所述材料层包括栅导体层，所述栅导体层介由栅介质层覆盖鳍。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，

形成牺牲栅堆叠包括：

在材料层上形成牺牲栅介质层；

在牺牲栅介质层上形成牺牲栅导体层；

对牺牲栅导体层进行平坦化，并构图；以及

在构图后的牺牲栅导体的侧壁上形成侧墙，

其中，对牺牲栅导体层进行平坦化包括：

在牺牲栅导体层中对于溅射的负载条件较高的区域中形成沟槽；以及

对牺牲栅导体层进行溅射，以使牺牲栅导体层平坦。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，牺牲栅导体层中由于之下的鳍而存在的凸起部分对应于负载条件较高的区域。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述衬底上形成有非均匀分布的多个鳍，并且鳍分布较密的区域在牺牲栅导体层中形成的沟槽数多于鳍分布较疏的区域在牺牲栅导体层中形成的沟槽数。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，鳍分布较疏的区域在牺牲栅导体层中形成的沟槽数为零。