[发明专利]鳍结构制造方法在审
| 申请号： | 201210505449.4 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103854981A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;许淼;罗军;李春龙;王桂磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 制造 方法 | ||
1.一种制造鳍结构的方法，包括：
在衬底上形成初始鳍；
在衬底上形成电介质层，以覆盖初始鳍；
通过溅射，对电介质层平坦化处理；
进一步电介质层进行回蚀，以露出初始鳍的一部分，该露出部分用作鳍。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在溅射之后且在进一步回蚀之前，该方法还包括：进行化学机械抛光处理。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，进行溅射，直到去除了初始鳍顶端的一部分。
4.根据权利要求3所述的方法，该方法还包括：对初始鳍的顶端进行退火或回蚀，以去除等离子损伤。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在进一步回蚀之后，该方法还包括：进行离子注入，以在初始鳍位于进一步回蚀后的电介质层的表面下方的部分中形成穿通阻挡部。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在形成穿通阻挡部时，对于p型器件，进行n型注入；而对于n型器件，进行p型注入。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，在进形成穿通阻挡部之后，该方法还包括：
在电介质层上形成横跨鳍的牺牲栅堆叠；
以牺牲栅堆叠为掩模，选择性刻蚀初始鳍，直至穿通阻挡部露出；
在初始鳍的露出部分上形成半导体层，用以形成源/漏区；以及
形成栅堆叠替代牺牲栅堆叠。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，对于p型器件，半导体层带压应力；而对于n型器件，半导体层带拉应力。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，衬底包括Si，初始鳍通过对衬底进行构图而形成，半导体层包括SiGe或Si:C。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，在形成半导体层时，对半导体层进行原位掺杂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
