[发明专利]一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法有效
申请号: | 201210505682.2 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103855036A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 李桂华;金鸿 | 申请(专利权)人: | 南京尚孚电子电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 210000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 cob 封装 镜面铝基板 制作方法 | ||
1.一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)线路基板的制备;
(2)镜面铝的准备;
(3)假贴;
(4)排板;
(5)压合;
(6)二次钻基准孔;
(7)数控钻铣外形。
2.根据权利要求1所述的一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法,其特征在于:所述各步骤分别如下:
(1)线路基板的制备:
(a)开料:用电动剪床将单面覆铜板剪切成生产需要的尺寸规格;
(b)一次刷板:用单面刷板机,将覆铜板表面的氧化层抛刷掉,刷辊目数为500目;
(c)印湿膜:用丝网印刷的方法,在一次刷板后的覆铜板表面铜箔上均匀涂覆一层感光湿膜;
(d)一次预烘:将印好湿膜的覆铜板放置在烘箱中烘烤,烘烤温度70~80℃,时间为20~30分钟;
(e)一次曝光:将预先光绘好的线路底片覆盖在预烘后的覆铜板上,用8KW紫外曝光机曝光,能量设定值为350毫焦;
(f)一次显影:将一次曝光后的覆铜板经过显影机显影,显影液1%-3%无水碳酸钠,温度为 28~32℃,时间为1~2分钟,喷淋压力为1~5Kg/cm2;
(g)检验:检测线路图形的完整性;
(h)蚀刻:用酸性氯化铜蚀刻液将没有被湿膜覆盖的铜层腐蚀掉,保留需要的线路铜箔,蚀刻液的条件:铜含量为140 ~ 180 g/l,酸量为2 ~ 3 N,氧化还原电位为450 ~ 550 mv,温度为49 ~ 54℃;
(i)去膜:用3%~5%的氢氧化钠溶液将蚀刻后的线路表面湿膜清除干净;
(j)二次刷板:用单面刷板机,将线路基板表面的氧化层抛刷掉,刷辊目数为500目;
(k)印阻焊白油:用丝网印刷的方法,在二次刷板后的线路基板表面均匀涂覆一层型号为太阳 PSR2000 CE800W的感光阻焊白油;
(l)二次预烘:将印好阻焊白油的的线路基板放置在烘箱中烘烤,烘烤温度70~80℃,时间为20~30分钟;
(m)二次曝光:将预先光绘好的阻焊底片,覆盖在二次预烘后的线路基板上,用8KW紫外曝光机曝光,能量设定值为950毫焦;
(n)二次显影:将二次曝光后的线路基板经过显影机显影,显影液1%~3%无水碳酸钠,温度为 28~32℃,时间为1~2分钟,喷淋压力为1~5Kg/cm2;
(o)后固化:将二次显影后的线路基板放置于烘箱中烘烤,烘烤温度150℃,时间为60分钟;
(p)化学镍钯金:采用了安美特Universal ASF II 化学镍钯金体系,在打金线焊盘的表面镀覆一层合金镀层;
(q)压合胶膜假贴:采用胶辊热压工艺,将胶膜与线路层假贴合,假贴工艺条件:压力1~4Kg/cm2 ,温度 80~120℃;
(r)一次钻基准孔:利用全自动影像打孔机先识别线路定位孔的图形,然后钻定位孔,孔径为2.0mm;
(s)固晶区铣内模:利用钻好的定位孔定位,线路基板在数控铣床上加工出所需的镜面裸露图形;
(t)胶膜预固化:将铣好内模槽的线路基板放置在烘箱中烘烤,烘烤温度60~80℃度,时间为20~40分钟;
(2)镜面铝的准备:采用了Mirro 2 silve 系列,其技术参数为全反射率>98%、漫反射率<5%;
(3)假贴:采用胶辊热压工艺,将步骤(2)准备的镜面铝板整平后与步骤(1)中制备的线路基板假贴合,假贴工艺条件:压力1~4Kg/cm2 ,温度 80~120℃;
(4)排板:将基板、离型膜、胶垫、钢板等按一定顺序排列叠合;
(5)压合:在热压合机上,加热加压;
(6)二次钻基准孔:利用全自动影像打孔机先识别线路定位孔的图形,然后钻定位孔,孔径为2.0mm;
(7)数控钻铣外形。
3.根据权利要求1或2所述的一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法,其特征在于:所述步骤(1)中的步骤(a)~(o)的导电线路图形制作时,使用了放大的菲林底片,放大比例为万分之六到万分之十二,线路层为BT材质,其厚度为0.1mm,铜箔的厚度为35um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造