[发明专利]固态成像设备、照相机和固态成像设备的设计方法有效
申请号: | 201210505763.2 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103137640A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 曾田岳彦 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 设备 照相机 设计 方法 | ||
1.一种固态成像设备,其包括按层布置的第一半导体基板和第二半导体基板,所述第一半导体基板具有第一半导体区,在所述第一半导体区中形成构成像素阵列的一部分的第一电路,所述第二半导体基板具有第二半导体区,在所述第二半导体区中形成构成所述像素阵列的另一部分的第二电路,并且所述第一电路和所述第二电路彼此电连接,其中,
所述第一半导体基板包括用于将第一电压供给所述第一半导体区的一个或多个第一接触插头,
所述第二半导体基板包括用于将第二电压供给所述第二半导体区的一个或多个第二接触插头,并且
所述像素阵列中的第一接触插头的数量不同于所述像素阵列中的第二接触插头的数量。
2.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,
所述第一电路包括光电转换部、浮置扩散区和用于将所述光电转换部所产生的电荷传输到所述浮置扩散区的晶体管,并且
所述第二电路包括用于对所述浮置扩散区进行重置的晶体管和用于放大来自所述浮置扩散区的信号的晶体管中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,
所述像素阵列中的第一接触插头的数量大于所述像素阵列中的第二接触插头的数量。
4.根据权利要求3所述的固态成像设备,其中,
所述第一半导体基板还包括被供给第一电压的导电图案,
所述第一接触插头与所述导电图案电连接,
所述第一半导体基板还包括在所述第一半导体基板的表面上曝露并与所述导电图案电连接的连接部分,并且
所述第二接触插头与所述连接部分电连接,并且向所述导电图案供给的第一电压通过第二接触插头被作为第二电压供给第二半导体基板。
5.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,
所述像素阵列中的第二接触插头的数量大于所述像素阵列中的第一接触插头的数量。
6.根据权利要求5所述的固态成像设备,其中,
所述第二半导体基板还包括被供给第二电压的导电图案,
所述第二接触插头与所述导电图案电连接,
所述第二半导体基板还包括在所述第二半导体基板的表面上曝露并与所述导电图案电连接的连接部分,并且
所述第一接触插头与所述连接部分电连接,并且向所述导电图案供给的第二电压通过第一接触插头被作为第一电压供给第一半导体基板。
7.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,
所述第一半导体区和所述第二半导体区具有相同的导电类型。
8.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,
所述第一半导体区和所述第二半导体区具有不同的导电类型。
9.一种照相机,包括:
根据权利要求1所述的固态成像设备;和
信号处理单元,其对通过所述固态成像设备获得的信号进行处理。
10.一种固态成像设备的设计方法,所述固态成像设备包括按层布置的第一半导体基板和第二半导体基板,所述第一半导体基板具有第一半导体区,在所述第一半导体区中形成构成像素阵列的一部分的第一电路,所述第二半导体基板具有第二半导体区,在所述第二半导体区中形成构成所述像素阵列的另一部分的第二电路,并且所述第一电路和所述第二电路彼此电连接,所述设计方法包括:
确定所述第一电路中所包括的电路元件;
确定所述第二电路中所包括的电路元件;
确定用于将第一电压供给第一半导体基板的第一半导体区的一个或多个第一接触插头的布置;和
确定用于将第二电压供给第二半导体基板的第二半导体区的一个或多个第二接触插头的布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的