[发明专利]平坦化处理方法

权利要求书

1.一种对衬底上形成的材料层进行平坦化的方法，包括：

对材料层进行第一溅射，在进行第一溅射时，以第一掩蔽层遮蔽材料层中溅射的负载条件相对较低的区域；

去除第一掩蔽层；以及

对材料层进行第二溅射，以使材料层平坦。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底上形成有非均匀分布的多个特征，所述材料层形成于衬底上覆盖所述多个特征，所述特征分布密度较低的区域对应于所述溅射的负载条件相对较低的区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，进行第一溅射，以使材料层未被第一掩蔽层覆盖的部分平坦；在去除第一掩蔽层之后，且在进行第二溅射之前，该方法还包括：

在材料层的所述部分上形成第二掩蔽层，其中第二掩蔽层的位置与第一掩蔽层的位置不交迭。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，利用Ar或N等离子体进行溅射。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述特征包括鳍，所述材料层包括电介质。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在第二溅射之后，该方法还包括：

进一步回蚀材料层，以露出鳍。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在进一步回蚀之后，该方法还包括：进行离子注入，以在鳍位于进一步回蚀后的材料层的表面下方的部分中形成穿通阻挡层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在离子注入之后，该方法还包括：

在材料层上形成横跨鳍的牺牲栅堆叠；

以牺牲栅堆叠为掩模，选择性刻蚀鳍，直至露出穿通阻挡层；

在鳍的露出部分上形成半导体层，用以形成源/漏区；以及

形成栅堆叠替代牺牲栅堆叠。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，所述特征包括鳍，所述材料层包括栅导体层，所述栅导体层介由栅介质层覆盖鳍。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，

形成牺牲栅堆叠包括：

在材料层上形成牺牲栅介质层；

在牺牲栅介质层上形成牺牲栅导体层；

对牺牲栅导体层进行平坦化，并构图；以及

在构图后的牺牲栅导体的侧壁上形成侧墙，其中，对牺牲栅导体层进行平坦化包括：

在所述特征分布密度较低的区域，形成另外的第一掩蔽层，并对露出的牺牲栅导体层部分进行另外的第一溅射；

去除另外的第一掩蔽层；以及

对牺牲栅导体层进行另外的第二溅射，以使牺牲栅导体层平坦。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

进行另外的第一溅射，以使牺牲栅导体层的露出部分平坦；

在去除另外的第一掩蔽层之后，且在进行另外的第二溅射之前，该方法还包括：

在牺牲栅导体层的露出部分上形成另外的第二掩蔽层，另外的第二掩蔽层的位置与另外的第一掩蔽层的位置不交迭。

12.一种对衬底上形成的材料层进行平坦化的方法，包括：

对材料层进行第一溅射，在进行第一溅射时，以第一掩蔽层遮蔽材料层中溅射的负载条件相对较高的区域，其中进行第一溅射，以使材料层中未被第一掩蔽层遮蔽的部分平坦；

去除第一掩蔽层；

在材料层的所述部分上形成第二掩蔽层，其中第二掩蔽层的位置与第一掩蔽层的位置不交迭；以及

对材料层进行第二溅射，以使材料层平坦。