[发明专利]阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及阵列基板及其制造方法，更具体地，涉及在不使用绝缘膜或不使用绝缘膜和有机膜的情况下形成焊盘区域的布线以使由于在高温环境中的接触余量（contact margin）而产生的电阻的增加引起的异常驱动减到最少的阵列基板及其制造方法。

背景技术

随着信息社会的推进，对于用于显示图像的显示装置的各种形式的需求正在增加。近来，已经使用了诸如液晶显示器（LCD）、等离子体显示面板（PDP）、有机发光二极管（OLED）等的各种平面显示装置。

在平面显示装置中，具有更小、更轻且更薄并且用低功耗来驱动的优点的LCD装置已经得到了普遍使用。

总体上，LCD装置通过利用场来调节具有介电各向异性的液晶的透光率来显示图像。

LCD装置包括滤色器基板、阵列基板以及形成在滤色器基板与阵列基板之间的液晶层。

此后，将参照图1至图3详细描述一般LCD装置的结构。

图1是示出根据相关技术的液晶面板和柔性电路板之间的连接关系的图。图2A是图1中的“A”部分的放大图。图2B是图1中的第二电极层16的平面图。图2C是沿图2B中I-I’线取得的截面图。图3是示出了阵列基板与柔性电路板之间的连接关系的图。

如图1至图3所示，相关技术的阵列基板10包括焊盘区域（a）和薄膜晶体管（TFT）形成区域（b）。

第一电极层12、绝缘膜14和第二电极层16顺次形成在基板10上的焊盘区域（a）。这里，当在TFT形成区域（b）中形成包括源极和漏极的数据布线时，同时形成第一电极层12，并且第一电极层12由与数据布线相同的材料制成。而且，绝缘层14包括栅绝缘膜和保护膜，当在TFT形成区域（b）中形成栅绝缘膜和保护膜时，同时形成绝缘层14，并且绝缘层14由与栅绝缘膜和保护膜相同的材料制成。当在TFT形成区域（b）中形成像素电极时，同时形成第二电极层16，并且第二电极层16由与像素电极相同的材料制成。这里，多个连接电极（未示出）形成在第二电极层16上并且电连接到柔性电路板70。

多个TFT（未示出）形成在基板10上的TFT形成区域（b），并且公共电极32形成在与阵列基板10相对应地设置的滤色器基板30上。

同时，在液晶面板中，为了接收从印刷电路板（PCB）（未示出）提供的驱动信号，阵列基板10的焊盘区域（a）电连接到柔性电路板70。这里，驱动芯片74安装在柔性电路板70上，并且在该情况下，例如，选通驱动芯片或数据驱动芯片可以安装在柔性电路板70上。

连接布线76形成在柔性电路板70上并且电连接到阵列基板10的焊盘区域（a），并且在该情况下，可以形成与在阵列基板10的焊盘区域（a）中形成的连接电极的数量相等的连接布线76。

阵列基板10的焊盘区域（a）和柔性电路板70的连接布线76由各向异性导电膜（ACF）50附接。因而，从PCB提供的驱动信号通过柔性电路板70的连接布线76、ACF 50以及在阵列基板10的焊盘区域（a）中形成的多个连接电极而传递至在TFT形成区域（b）中形成的TFT。

如图2A所示，多个连接电极16_1至16_5形成在阵列基板10的焊盘区域（a）的第二电极层16上，并且形成多个接触孔15以与ACF 50接触。

如图2B和图2C所示，当在TFT形成区域（b）中形成栅极时，通过使用与栅极相同的材料，在基板10的焊盘区域（a）中也同时形成了第一电极层12。当在TFT形成区域（b）中形成栅绝缘膜和保护膜时，同时在第一电极层12上形成由栅绝缘膜14a和保护膜14b组成的绝缘层14。形成接触孔15以露出第一电极12的特定区域。连接电极16-1电连接到绝缘层14上露出的第一电极层12。这里，当在TFT形成区域（b）中形成像素电极时，同时形成连接电极16_1，并且该连接电极16_1由与像素电极相同的材料制成。

如图3所示，当在阵列基板10的焊盘区域（a）的多个连接电极16_1至16_5通过ACF 50附接到柔性电路板70的连接布线76的状态下，当在室温操作液晶面板时，驱动不存在问题。

但是，当在高温环境中操作液晶面板时，焊盘区域（a）的连接电极16_1至16_5与柔性电路板70的连接布线接触的接触点P1至P4的数量减少。例如，如果假定在室温环境下操作液晶面板并且焊盘区域（a）的连接电极16_1至16_5与柔性电路板70的连接布线接触的接触点的数量是10个，则当在高温环境中操作液晶面板时，焊盘区域（a）的连接电极16_1至16_5与柔性电路板70的连接布线接触的接触点P1至P4的数量减少到4个。