[发明专利]一种新型的用于晶圆二氧化硅背封膜生长过程的硅片承载装置和生长方法有效
| 申请号： | 201210506237.8 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103855062A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 徐继平;孙洪波;刘斌;李耀东;党宇星;耿绪雷;王雷;张亮;叶松芳 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/683;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 用于 二氧化硅 背封膜 生长 过程 硅片 承载 装置 方法 | ||
1.一种新型的用于晶圆二氧化硅背封膜生长过程的硅片承载装置，其特征在于，包括圆形的上基座和下基座，以及安装在上、下基座之间的三个承载棒，每个承载棒上均匀分布数个承载槽。
2.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述承载棒与所述上基座之间所成角度为10～20度。
3.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，每个承载棒上设有25个承载槽，所述承载槽的开口与承载棒之间所成角度为75～85度。
4.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述承载槽的槽深为4～6mm，槽间距为4.5～5.5mm，槽底宽为0.6～0.9mm。
5.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述承载棒的截面半径为5～6mm。
6.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述上基座和下基座的半径分别为105～155mm。
7.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述上、下基座上分别设有两个定位棒，该些定位棒的高度为10～15cm，同一基座上的两个定位棒之间的间距为8～12cm。
8.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述硅片承载装置的材质为电子级石英材料。
9.一种采用权利要求1所述的硅片承载装置生长二氧化硅背封膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将若干个硅片承载装置安装在化学气相沉积水平卧式炉的沉积腔体内，然后将硅片导入该些硅片承载装置；
(2)设定沉积腔体内的温度为640～680℃，压力为550～750毫托，设定正硅酸乙酯蒸汽的流量为100～160SCCM，控制沉积时间；
(3)沉积完成后，进行腔体净化，取出硅片，测定片内和片间均匀性；
(4)整炉硅片进行外观表面检测，计算良率。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述硅片承载装置到炉门的距离为30～50cm；沉积腔体内壁到硅片承载装置的距离为15～20cm；相邻两个承载装置之间的距离为2～4cm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
