[发明专利]一种用于等离子体处理腔室的约束环及腔室清洁方法

权利要求书

1.一种用于等离子体处理腔室的约束环，其中，所述等离子体处理腔室包括等离子制程区域和排气区域，所述约束环位于所述等离子处理腔室的等离子制程区域和排气区域之间，具有多个气体通道，在所述等离子体处理腔室的下部设置有一基座，其特征在于：所述约束环为可移动的，以在所述基座和所述约束环之间能够产生一开口，使得清洁用的等离子体能够通过该开口进入所述排气区域，其中，所述等离子体处理腔室还包括一驱动装置，所述驱动装置用于带动所述约束环移动。

2.根据权利要求1所述的约束环，其特征在于，在所述基座的静电夹盘以下的所述基座外围以及所述腔室内壁分别设置有第一支撑装置和第二支撑装置，所述约束环的第一端和第二端分别与第一支撑装置和第二支撑装置接触。

3.根据权利要求2所述的约束环，其特征在于，所述约束环包括若干个可分离的扇形子环，所述子环能够分别以其靠近所述腔室侧壁的第二端为支点向上掀起。

4.根据权利要求3所述的约束环，其特征在于，所述子环能够分别以其靠近所述腔室侧壁的第二端为支点向上掀起0~90度。

5.根据权利要求4所述的约束环，其特征在于，所述约束环的所述第二端固定于所述第二支撑装置上。

6.根据权利要求3所述的约束环，其特征在于，所述驱动装置包括第一驱动装置，其中，若干个所述子环还分别连接有一第一驱动装置，其分别用于驱动所述子环以其靠近所述腔室侧壁的第二端为支点向上掀起。

7.根据权利要求1所述的约束环，其特征在于，所述约束环能够相对于所述基座上下移动。

8.根据权利要求7所述的约束环，其特征在于，所述约束环能够相对于所述基座上下移动的距离最多至达到所述腔室上方的气体注入器的下表面。

9.根据权利要求7所述的约束环，其特征在于，所述驱动装置包括第二驱动装置，其中，所述约束环下方还设置有一呈环状结构的移动装置，在所述移动装置连接有至少一个第二驱动装置，其用于驱动所述移动装置上下移动以带动所述约束环相对于所述基座上下移动。

10.根据权利要求9所述的约束环，其特征在于，所述第二驱动装置包括气缸或步进马达。

11.根据权利要求7所述的约束环，其特征在于，所述驱动装置包括第二驱动装置，所述约束环连接有若干个第二驱动装置，所述第二驱动装置共同驱动所述约束环相对于所述基座上下移动。

12.根据权利要求11所述的约束环，其特征在于，所述第二驱动装置包括气缸或步进马达。

13.一种等离子体处理腔室的清洁方法，其中，所述等离子体处理腔室包括权利要求1至12任一项所述的约束环，其特征在于，所述清洁方法包括如下步骤：

步骤(a)，向腔室内部提供清洁气体，并激发清洁气体产生等离子体；

步骤(b)，移动所述约束环，以在所述基座和所述约束环之间产生一开口，使得清洁用的等离子体能够通过该开口进入所述排气区域；

步骤(c)，利用所述等离子体处理腔室的真空泵将清洁冗余排出腔室以外。

14.根据权利要求13所述的清洁方法，其特征在于，所述清洁气体包括O₂和CF₄。

15.根据权利要求13所述的清洁方法，其特征在于，所述步骤(b)还包括，相对于所述基座上下移动所述约束环，以在所述基座和所述约束环之间产生一开口，使得清洁用的等离子体能够通过该开口进入所述排气区域。

16.根据权利要求13所述的清洁方法，其特征在于，所述约束环包括若干个可分离的扇形子环，其中，所述步骤(b)还包括，分别将所述子环以其靠近所述腔室侧壁的第二端为支点向上掀起0~90度，以在所述基座和所述约束环之间产生一开口，使得清洁用的等离子体能够通过该开口进入所述排气区域。