[发明专利]基于选择性湿法腐蚀工艺的碲镉汞探测器的衬底去除技术

权利要求书

1.基于选择性湿法腐蚀工艺的碲镉汞探测器的衬底去除方法，其特征在于包括以下步骤：

1)采用机械减薄抛光，将红外焦平面探测器模块固定在特制玻璃板上，将衬底厚度减薄至250-350μm；

2)红外探测器模块清洗：使用纯度为MOS级的三氯乙烯、乙醚、丙酮、异丙醇在室温下分别浸泡清洗各5分钟，确保模块表面没有异物残留；

3)将模块贴在宝石片上，在模块上芯片衬底的四周涂掩膜保护电路图形以及引线区域；

4)选择性湿法腐蚀：将做好掩膜的焦平面模块用氟塑料螺钉夹在特制的夹具上，静置于两种无机酸以及去离子水以一定比例配成的混合腐蚀液中腐蚀，随时观测衬底状况，直至芯片衬底完全被去除，表面呈现花斑颜色，将模块从混合腐蚀液中取出，用去离子水浸洗5遍以上；

所述的混合腐蚀液的配比为：硝酸15-25ml，氢氟酸10-20ml，去离子水55-65ml；

5)再将模块浸入室温的5%-10%高锰酸钾溶液中，轻轻晃动，直至芯片背面完全变亮，将模块从溶液中取出，在室温下用去离子水浸洗5遍以上；

6)用丙酮溶液去除模块的掩膜保护层，再用酒精或异丙醇清洗。