[发明专利]静电保护器及制作方法

权利要求书

1.一种静电保护器，其特征在于：包括

绝缘的基板，该基板的长度大于宽度；

一对间隔设置在所述基板的上表面上的电极，每个所述电极均具有沿所述基板的长度方向延伸的偶合电极部，一对所述电极的偶合电极部相平行设置，并沿着所述基板的宽度方向间隔排列，该一对电极的偶合电极部具有沿所述基板的长度方向延伸并且相正对的侧面，该相正对的侧面之间形成宽度10-50um的缝隙；

能够在高电压下呈导通状态并能够在低电压下呈绝缘状态的多晶纳米压敏材料层，该多晶纳米压敏材料层填充在所述一对电极的偶合电极部之间的所述缝隙中；

形成所述多晶纳米压敏材料层的多晶纳米压敏材料是由硅橡胶、直径2-5um的金属粒子、包裹在所述金属粒子表面的20-400nm的多晶纳米半导体粒子混合而成， 

所述多晶纳米半导体粒子是采用氧化镍12-33%（重量百分比）、锡酸钙8-29%、钛酸锶7-35%、氧化硼0.3-5%以及氧化铋0.2-4%，经过两次机械化学法并配合550-900℃高温焙烧合成的，所述多晶纳米半导体粒子能够在高电压下呈导通状态并在低电压下呈绝缘状态。

2.根据权利要求1所述的静电保护器，其特征在于：在合成所述多晶纳米半导体粒子时，首先对原材料氧化镍、锡酸钙、钛酸锶、氧化硼以及氧化铋进行100-300rpm高速离心球磨，使各材料的晶粒融合，然后通过真空蒸发造粒，接着再通过550-900℃高温热处理，使各材料进一步融合，接着再进行100-300rpm高速离心球磨，然后再通过真空蒸发造粒，550-900℃高温热处理，最后研磨成粉，真空干燥即可。

3.根据权利要求1所述的静电保护器，其特征在于：所述缝隙的宽度为10-20um。

4.根据权利要求1所述的静电保护器，其特征在于：所述静电保护器还包括高分子覆盖层，该高分子覆盖层覆盖在所述一对电极的偶合电极部以及所述多晶纳米压敏材料层上，该高分子覆盖层为含有纳米级的链状碳黑或石墨的环氧树脂层，所述纳米级的链状碳黑或石墨的重量百分比含量为1-15%，该高分子覆盖层通过所述一对电极的偶合电极部的上表面形成电偶合。

5.根据权利要求1所述的静电保护器，其特征在于：所述每个电极均具有端电极部，所述一对电极的端电极部分别设置在所述基板上表面的两端头上，所述偶合电极部从对应一端的所述端电极部上伸出，朝向另一端的端电极部延伸，并与该另一端的端电极部之间有间隔空间。

6.根据权利要求5所述的静电保护器，其特征在于：在所述每个电极上，所述端电极部的宽度均宽于所述偶合电极部的宽度。

7.根据权利要求5所述的静电保护器，其特征在于：在所述每个电极上，所述偶合电极部、所述端电极部均是一体成形的。

8.根据权利要求5所述的静电保护器，其特征在于：在所述基板的下表面的两端头上分别设置有下表面端电极，在所述基板的相对的两端面上分别设置有端面电极，所述端面电极电连接所述基板上下表面对应端的所述端电极部以及所述下表面端电极。

9.制作如权利要求1所述的静电保护器的方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）在上下表面均覆金属板的绝缘基板的上表面通过光刻、蚀刻技术制作成对间隔设置的电极，保证成对所述电极的偶合电极部相平行间隔排列，所述成对电极的偶合电极部在相错开正对的侧面之间形成间隔的缝隙，然后通过电镀使得所述成对电极的偶合电极部之间间隔的缝隙宽度缩窄成为10-50um；

（2）在所述成对电极的偶合电极部之间的10-50um缝隙中印刷多晶纳米压敏材料，该多晶纳米压敏材料在高电压下呈导通状态，在低电压下呈绝缘状态。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：该方法还包括在印刷好的多晶纳米压敏材料以及所述成对电极的偶合电极部上印刷含导电粒子的高分子覆盖材料，形成高分子覆盖层，所述高分子覆盖材料是由环氧树脂和纳米级的链状碳黑或片状石墨构成，碳黑或片状石墨的重量百分比含量为1-15%。