[发明专利]多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器

权利要求书

1.一种多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于包括：

第一多晶硅层沉积步骤，用于在衬底上沉积第一多晶硅层；

氮化硅层沉积及刻蚀步骤，用于在第一多晶硅层上沉积氮化硅层，并对氮化硅层进行刻蚀以在氮化硅层中形成第一凹陷部和第二凹陷部，并在第一凹陷部和第二凹陷部中填充隔离物，从而将氮化硅层分成三部分；

第二多晶硅层沉积步骤；用于在氮化硅层上沉积隔离物层以及第二多晶硅层，其中隔离物层以及第二多晶硅层至少覆盖氮化硅层的中间部分，而不覆盖氮化硅层的两侧部分；

氮化硅层刻蚀步骤，用于对氮化硅层进行刻蚀，从而去除氮化硅层的两侧部分；

隔离侧墙及接触孔形成步骤，用于在第一多晶硅层两侧分别形成第一多晶硅侧墙和第二多晶硅侧墙，在氮化硅层、隔离物层以及第二多晶硅层的叠层两侧分别形成叠层侧墙和叠层侧墙，并且在第一多晶硅层的两侧部分分别形成与第一多晶硅层的两侧部分的表面分别接触的第一接触孔和第二接触孔。

2.根据权利要求1所述的多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于，在形成自对准非挥发存储器的控制栅极的工艺步骤中执行第一多晶硅层沉积步骤。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于，在第二多晶硅层沉积步骤中，隔离物层以及第二多晶硅层部分覆盖填充有隔离物的第一凹陷部和第二凹陷部。

4.一种通过根据权利要求1至3之一所述的多晶硅电阻器结构制造方法制成的多晶硅电阻器结构。

5.一种通过将多个根据权利要求4所述的多晶硅电阻器结构进行电连接串联而得到的多晶硅电阻器。

6.一种多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于包括：

第一多晶硅层沉积步骤，用于在衬底上沉积第一多晶硅层；

氮化硅层沉积及刻蚀步骤，用于在第一多晶硅层上沉积氮化硅层，并对氮化硅层进行刻蚀以在氮化硅层中形成第一凹陷部和第二凹陷部，并在第一凹陷部和第二凹陷部中填充隔离物，从而将氮化硅层分成三部分；

第二多晶硅层沉积步骤；用于在氮化硅层上沉积隔离物层以及第二多晶硅层，其中隔离物层以及第二多晶硅层至少覆盖氮化硅层的中间部分，而不覆盖氮化硅层的两侧部分；

氮化硅层刻蚀步骤，用于对氮化硅层进行刻蚀，从而去除氮化硅层的两侧部分；

氮化硅层刻蚀步骤，用于对氮化硅层进行刻蚀，从而去除氮化硅层的两侧部分；

隔离侧墙及接触孔形成步骤，用于在第一多晶硅层两侧分别形成第一多晶硅侧墙和第二多晶硅侧墙，在氮化硅层以及隔离物层的叠层两侧分别形成叠层侧墙和叠层侧墙，并且在第一多晶硅层的两侧部分分别形成与第一多晶硅层的两侧部分的表面分别接触的第一接触孔和第二接触孔。

7.根据权利要求6所述的多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于，在形成自对准非挥发存储器的控制栅极的工艺步骤中执行第一多晶硅层沉积步骤。

8.根据权利要求6或7所述的多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于，在第二多晶硅层沉积步骤中，隔离物层以及第二多晶硅层部分覆盖填充有隔离物的第一凹陷部和第二凹陷部。

9.一种通过根据权利要求6至8之一所述的多晶硅电阻器结构制造方法制成的多晶硅电阻器结构。

10.一种通过将多个根据权利要求9所述的多晶硅电阻器结构进行电连接串联而得到的多晶硅电阻器。