[发明专利]镜像闪存器件及其操作方法

权利要求书

1.一种镜像闪存器件，至少包括：半导体基底，形成于所述半导体基底上的栅极，形成于所述栅极下方的半导体基底中的沟道，分别对称的分布在所述沟道两侧的源极和漏极；其特征在于，所述半导体基底至少包括：与基底相反掺杂类型的离子注入深井，以及位于该深井中且与基底相同掺杂类型的离子注入井，所述沟道形成于所述离子注入井中；所述栅极至少包括用于俘获电荷的浮栅和控制栅，所述浮栅采用电荷分离存储材料。

2.如权利要求1所述的镜像闪存器件，其特征在于，所述浮栅采用氮化硅或硅纳米晶颗粒。

3.如权利要求1所述的镜像闪存器件，其特征在于，所述栅极还包括：位于所述基底表面的浮栅介质层，用于隔离沟道和浮栅；以及位于所述浮栅和所述控制栅之间的控制栅介质层，用于隔离所述控制栅和所述浮栅。

4.如权利要求3所述的镜像闪存器件，其特征在于，所述浮栅介质层为二氧化硅。

5.如权利要求3所述的镜像闪存器件，其特征在于，所述浮栅介质层材料具有高介电常数。

6.如权利要求5所述的镜像闪存器件，其特征在于，所述浮栅介质层材料为三氧化二铝或二氧化铪。

7.如权利要求3所述的镜像闪存器件，其特征在于，所述控制栅介质层为二氧化硅或氧化硅-氮化硅-氧化硅多层结构。

8.如权利要求1所述的镜像闪存器件，其特征在于，所述源极和漏极具有相同的掺杂浓度。

9.一种如权利要求1所述镜像闪存器件的操作方法，包括读取操作、擦除操作和编程操作，其中，所述读取操作至少包括：使源极和漏极中的至少一端悬浮，并在另一端以及栅极施加预定的电压，从而利用栅致漏电流进行读取。

10.如权利要求9所述的操作方法，其特征在于，对于具有n沟道的镜像闪存器件，所述读取操作至少包括：使源极和漏极中的至少一端悬浮，并在另一端施加正电压，在栅极施加一绝对值大于阈值电压的负电压。