[发明专利]对凹槽侧墙氧化物回蚀不良影响的改善方法在审
| 申请号： | 201210507628.1 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102945792A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 江红 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 凹槽 氧化物 不良 影响 改善 方法 | ||
1.一种凹槽顶部与凹槽底部沉积厚度不同对凹槽侧墙氧化物回蚀造成不良影响的改善方法，其特征在于包括：
第一步骤，用于形成芯片生产过程中需要的具有凹槽的结构；
第二步骤，用于在第一步骤所得到的结构上沉积氧化物；
第三步骤，用于以与竖直方向成第一倾斜角的方向利用中性原子进行第一次注入；
第四步骤，以与竖直方向成第二倾斜角的方向利用中性原子进行第二次注入；
第五步骤，用于对执行了注入的氧化物进行回蚀。
2.一种凹槽顶部与凹槽底部沉积厚度不同对凹槽侧墙氧化物回蚀造成不良影响的改善方法，其特征在于包括：
第一步骤，用于自对准非挥发记忆体制造过程中形成的具有凹槽的氮化硅结构；
第二步骤，用于在第一步骤所得到的结构上沉积氧化物，以隔离自对准非挥发记忆体的浮栅和源线多晶硅；
第三步骤，用于以与竖直方向成第一倾斜角的方向利用中性原子进行第一次注入；
第四步骤，以与竖直方向成第二倾斜角的方向利用中性原子进行第二次注入；
第五步骤，用于对执行了注入的氧化物进行回蚀。
3.根据权利要求1或2所述的改善方法，其特征在于，在所述第三步骤中，根据凹槽的尺寸、凹槽结构上表面的氧化物的厚度、凹槽结构侧壁上的氧化物的厚度和凹槽底部的氧化物的厚度来选择第一倾斜角，以使得中性原子不注入凹槽底部的氧化物。
4.根据权利要求1或2所述的改善方法，其特征在于，在所述第三步骤中，所述中性原子是较重的原子，例如氩原子。
5.根据权利要求1或2所述的改善方法，其特征在于，在第四步骤中，根据凹槽的尺寸、凹槽结构上表面的氧化物的厚度、凹槽结构侧壁上的氧化物的厚度和凹槽底部的氧化物的厚度来选择第二倾斜角，以使得中性原子不注入凹槽底部的氧化物。
6.根据权利要求1或2所述的改善方法，其特征在于，在第四步骤中，所述中性原子是较重的原子，例如氩原子。
7.根据权利要求1或2所述的改善方法，其特征在于，第一倾斜角的方向与第二倾斜角的方向处于同一平面，并且相对于垂直方向对称布置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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