[发明专利]半导体测试方法在审
| 申请号： | 201210507629.6 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102938258A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 张若成;索鑫;钱亮 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体测试方法，利用测试机测试待测单元的电参数，其特征在于，设定多个预定值、一目标参数、第一基准和第二基准，所述目标参数小于所述第一基准且大于所述第二基准；
将一个预定值赋予待测单元，由测试机比较该预定值下待测单元的电参数与所述第一基准和第二基准的关系，若所述电参数在所述第一基准和第二基准之间，则认可该电参数并停止测试，否则继续获得另一个预定值进行测试和判断。
2.如权利要求1所述的半导体测试方法，其特征在于，所述电参数为写入电压或擦除电压。
3.如权利要求2所述的半导体测试方法，其特征在于，所述第一基准、所述目标参数及所述第二基准成等差数列。
4.如权利要求1所述的半导体测试方法，其特征在于，所述预定值和所述电参数最多为16个。
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