[发明专利]过压保护装置及方法

权利要求书

1.一种过压保护装置，其特征在于，包括：

判决单元，其输入端连接至所述装置的输入端，所述判决单元的输出端与缓启单元的输入端相连，用于判断所述装置的输入端的输入电压是否超过预设的保护电压，并将判决结果发送至缓启单元；

缓启单元，其输入端分别与所述判决单元的输出端以及所述装置的输入端相连，所述缓启单元的输出端与所述装置的输出端相连，若所述判决单元判断为所述输入电压不超过所述预设的保护电压，且在预设的延迟时间内保持稳定，则所述缓启单元将所述输入电压输出至所述装置的输出端，否则，不向所述装置的输出端输出电压信号。

2.根据权利要求1所述的过压保护装置，其特征在于，

所述判决单元包括：

第一晶体管，其源极连接至所述装置的输入端，漏极与所述缓启单元的输入端相连；

稳压二极管，其正极连接至所述第一晶体管的栅极，负极连接至接地端；以及

第二电阻器，连接在所述第一晶体管的源极和栅极之间；

所述缓启单元包括：

第二晶体管，其源极连接至所述装置的输入端，其栅极连接至所述第一晶体管的漏极，其漏极连接至所述装置的输出端；

第一电阻器，连接在所述第二晶体管的栅极和接地端之间；以及

电容器，连接在所述第二晶体管的源极和栅极之间。

3.根据权利要求2所述的过压保护装置，其特征在于，所述第一晶体管在所述输入电压不超过所述预设的保护电压时关断，所述第二晶体管在所述输入电压不超过所述预设的保护电压且在预设的延迟时间内保持稳定后导通。

4.根据权利要求2所述的过压保护装置，其特征在于，所述第一晶体管在所述输入电压超过所述预设的保护电压时导通，所述第二晶体管在所述输入电压超过所述预设的保护电压时关断。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的过压保护装置，其特征在于，所述预设的保护电压由所述稳压二极管的稳压值与所述第一晶体管的阈值电压之和决定。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的过压保护装置，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为PMOS晶体管。

7.一种过压保护方法，其特征在于，包括：

判断输入电压是否超过预设的保护电压；

若所述输入电压不超过所述预设的保护电压，且在预设的延迟时间内稳定，则输出所述输入电压，否则，不输出电压信号。