[发明专利]一种高线性补偿的电流平整电路

权利要求书

1.一种高线性补偿的电流平整电路，其特征在于它包括电流检测模块(1)和电流注入补偿模块(2)；

电流检测模块(1)，用于检测流经密码核心电路的电流I_core产生的变化电流ΔI_core，并转换变化电流ΔI_core为相应的变化电压ΔV，还用于将变化电压ΔV发送给电流注入补偿模块(2)；

电流注入补偿模块(2)，用于将变化电压ΔV线性转换为补偿电流ΔI_R，并通过补偿电流ΔI_R对变化电流ΔI_core进行补偿，使总的电源端检测到的变化电流ΔI_tot被削平；

电流检测模块(1)分别设置有变化电流ΔI_core采集端和变化电压ΔV输出端；电流注入补偿模块(2)分别设置有变化电压ΔV输入端和补偿电流ΔI_R输出端；电流检测模块(1)的变化电压ΔV输出端与电流注入补偿模块(2)的变化电压ΔV输入端连接；

电流注入补偿模块(2)由放大器A、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4和第五NMOS管M5至第十NMOS管M10组成，

第三PMOS管M3的栅极与漏极短接并同时与第四PMOS管M4的栅极、第五NMOS管M5的漏极、第十NMOS管M10的漏极连接，

第五NMOS管M5的源极和第六NMOS管M6的漏极同时与放大器A的同相输入端连接，

第十NMOS管M10的栅极和第九NMOS管M9的栅极同时与放大器A的输出端连接，

第九NMOS管M9的源极和第八NMOS管M8的漏极同时与放大器A的反相输入端连接，

第八NMOS管M8的源极与第七NMOS管M7的漏极连接，

第三PMOS管M3的源极、第四PMOS管M4的源极和第九NMOS管M9的漏极接电源端VDD，

第六NMOS管M6的源极、第七NMOS管M7的源极和第十NMOS管M10的源极接地，

第六NMOS管M6的栅极接第三偏置电压V_c，第七NMOS管M7的栅极接第四偏置电压V_d和第八NMOS管M8的栅极接第五偏置电压V_e；

第四PMOS管M4的漏极为电流注入补偿模块(2)的补偿电流ΔI_R输出端；第四PMOS管M4的漏极与密码核心电路的地端连接，

第五NMOS管M5的栅极为电流注入补偿模块(2)的变化电压ΔV输入端。

2.根据权利要求1所述的一种高线性补偿的电流平整电路，其特征在于它电流检测模块(1)由第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第十一NMOS管M11、第十二NMOS管M12，第十三PMOS管M13、第十四PMOS管M14、第十五PMOS管M15和电阻R1组成，

第一NMOS管M1的漏极为电流检测模块(1)的变化电流ΔI_core采集端，第一NMOS管M1的漏极和第十三PMOS管M13的栅极同时与密码核心电路的地端连接，

第一NMOS管M1的栅极、第二NMOS管M2的栅极、第十二NMOS管M12的漏极与第十四NMOS管M14的漏极连接，

第十一NMOS管M11的栅极、第十二NMOS管M12的栅极、第十一NMOS管M11的漏极与第十三PMOS管M13的漏极连接，

第十三PMOS管M13的源极、第十四PMOS管M14的源极与第十五PMOS管M15的漏极连接，

第二NMOS管M2的漏极与电阻R1的一端连接为电流检测模块(1)的变化电压ΔV输出端；

电阻R1的一端与第十五PMOS管M15的源极接电源端VDD，

第一NMOS管M1的源极、第二NMOS管M2的源极、第十一NMOS管M11的源极和第十二NMOS管M12的源极接地，

第十四PMOS管M14的栅极接第二偏置电压V_b、第十五PMOS管M15的栅极接第一偏置电压V_a。