[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底、在所述P型衬底上外延生长形成的P型外延层及位于P型外延层中的P阱，所述P阱用于形成沟道，其特征在于，所述在P型外延层中包括一P埋层，所述P埋层位于所述P阱的下方，所述P埋层与所述P阱相接触。

2.如权利要求1所述射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述P埋层的长度为源端到沟道底下区域的长度。

3.如权利要求1所述射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述P埋层的长度为所述P型外延层的长度。

4.如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，还包括氧化层和多晶硅栅、轻掺杂的漂移区、法拉第屏蔽层、N+源区、N+漏区、P+区域、以及P型多晶硅塞或金属塞。

5.一种如权利要求1所示的射频横向双扩散场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在P型衬底上外延生长P型外延层；在P型外延层上面生长一层阻挡氧化层，然后通过离子注入形成P埋层；

步骤2、多晶硅栅的形成，首先去除所述阻挡氧化层，接着热氧生长一层栅氧化层，然后淀积多晶硅，淀积光刻胶，最后通过光刻板定义刻蚀出多晶硅栅；

步骤3、轻掺杂漂移区的形成，在不去除光刻胶的情况下，进行轻掺杂漂移区的N型离子注入，形成轻掺杂漂移区，然后去除光刻胶；

步骤4、P阱的形成，光刻板定义出P阱区域及位置，刻蚀出该区域，通过自对准的工艺进行P型离子注入，然后高温推进形成；

步骤5、通过光刻板分别定义出N+源区、N+漏区以及P+区域，分别进行离子注入并高温退火形成N+源区、N+漏区以及P+区域；

步骤6、法拉第屏蔽层的形成，淀积氧化层，淀积金属硅化物，光刻板定义出法拉第屏蔽层的面积和位置，然后刻蚀金属硅化物形成法拉第屏蔽层；

步骤7、P型多晶硅塞或者金属塞的形成，光刻板定义出P型多晶硅塞或者金属塞的区域，刻蚀出槽，淀积P型多晶硅或者金属材料，通过研磨或者刻蚀等工艺形成。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤1中所述的离子注入形成的P埋层为通过在所述P型外延层中光刻板定义刻蚀出P埋层的区域，然后注入P型杂质，高温推进形成。

7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤1中所述离子注入形成P埋层为在所述P型外延层中直接普注P型杂质，然后高温推进形成。

8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤1中所述离子注入形成P埋层，所述离子的种类为硼，其能量为100keV-1000keV，剂量为1.0e¹²-1.0e¹⁵cm^-2步骤3中所述的轻掺杂漂移区的N型离子注入，所述离子的种类为磷或砷，其能量为50keV-300keV，剂量为1.0e¹¹-4.0e¹²cm^-2；步骤4中所述的P型离子注入，所述离子的种类为硼，能量为30-80keV，剂量为5e¹²-2e¹⁴cm^-2。

9.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤6中所述的法拉第屏蔽层为一层。

10.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤6中所述的法拉第屏蔽层为多层。