[发明专利]IGBT及其制作方法

权利要求书

1.一种IGBT，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括漂移区；

位于所述漂移区背面且与所述漂移区背面直接电性接触的复合层，所述复合层仅覆盖所述漂移区背表面的部分区域。

2.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述复合层的材料为非晶硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合层的厚度为0.5~10μm，包括端点。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合层所覆盖的漂移区背表面的面积占漂移区背表面总面积的比例为1:2~1:15。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合层包括多个复合部，各复合部之间具有间隙。

6.根据权利要求5所述的IGBT，其特征在于，所述漂移区的背面具有多个凹槽，所述复合层填满所述凹槽，且所述复合层底部与所述漂移区底部齐平。

7.根据权利要求6所述的IGBT，其特征在于，还包括，位于所述漂移区背面的集电区，所述集电区与所述复合层底部和所述漂移区底部直接电性接触。

8.根据权利要求6所述的IGBT，其特征在于，还包括：

位于所述漂移区背面的缓冲层，所述缓冲层与所述复合层底部和所述漂移区底部直接电性接触；

位于所述缓冲层底部且与所述缓冲层直接电性接触的集电区。

9.根据权利要求5所述的IGBT，其特征在于，所述复合层位于所述漂移区的背表面上。

10.根据权利要求9所述的IGBT，其特征在于，还包括，位于所述多个复合部之间的集电区，所述集电区底部与所述复合层底部齐平，且所述集电区与各个复合部的侧壁及所述漂移区的底部直接电性接触。

11.根据权利要求9所述的IGBT，其特征在于，还包括：

位于所述多个复合部之间的缓冲层，所述缓冲层的底部与所述复合层的底部齐平，且所述缓冲层与各个复合部的侧壁及所述漂移区的底部直接电性接触；

位于所述缓冲层底部和复合层底部且与所述缓冲层底部和复合层底部直接电性接触的集电区。

12.根据权利要求9所述的IGBT，其特征在于，还包括：

位于所述多个复合部之间的缓冲层，所述缓冲层的底部低于所述复合层的底部，且所述缓冲层与各个复合部的侧壁及所述漂移区底部直接电性接触；

位于所述多个复合部之间且位于所述缓冲层底部的集电区，所述集电区的底部与所述复合层的底部齐平。

13.根据权利要求9所述的IGBT，其特征在于，还包括，位于所述漂移区背面的集电区，所述集电区完全覆盖各个复合部的表面和位于各个复合部之间的漂移区的表面，且所述集电区与所述复合层底部和所述漂移区底部直接电性接触。

14.根据权利要求9所述的IGBT，其特征在于，还包括：

位于所述漂移区背面的缓冲层，所述缓冲层完全覆盖各个复合部的表面和位于各个复合部之间的漂移区的表面，且所述缓冲层与所述复合层底部和所述漂移区底部直接电性接触；

位于所述缓冲层底部且与所述缓冲层直接电性接触的集电区。

15.一种IGBT的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括漂移区；

在所述漂移区的背面形成复合层，所述复合层仅覆盖所述漂移区背表面的部分区域，且与所述漂移区的背面直接电性接触。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述复合层包括多个复合部，各复合部之间具有间隙。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述在所述漂移区的背面形成复合层包括：

去除所述漂移区背面的部分材料，以在漂移区的背表面内形成多个开口；

在所述开口内填满复合层材料，形成复合层，所述复合层的底部与所述漂移区的底部齐平。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，在形成所述复合层之后还包括，在所述漂移区的背表面上形成集电区，所述集电区与所述复合层底部和所述漂移区底部直接电性接触。