[发明专利]一种硬盘磁头晶片的生产方法

权利要求书

1.一种硬盘磁头晶片的生产方法，其特征在于包括以下步骤：（1）、在晶片上溅射黏附层，再溅射一层种子层，然后涂布光刻胶，曝光并显影所需图形，烘干；（2）、依次进行三层合金层的电镀，其中前两层合金层为难氧化或难腐蚀的合金层，去离子水清洗，褪除光刻胶，氩离子束刻蚀去除所要图形外的种子层；（3）、涂布光刻胶保护所要的金属区，用酸溶液腐蚀掉不需要的金属，再溅射Al₂O₃晶体，研磨以暴露出合金层即形成硬盘磁头晶片。

2.根据权利要求1所述的硬盘磁头晶片的生产方法，其特征在于：所述步骤（1）中涂布光刻胶的厚度为5.0~5.5μm。

3.根据权利要求1所述的硬盘磁头晶片的生产方法，其特征在于：所述步骤（2）中的三层合金层依次为Ni-Fe层、Ni-P层和Fe-Co-Ni层或Ni-Fe层、Ni-P层和Co-Ni-Fe层或Ni-Fe层、Ni-Pd层和Co-Ni-Fe层或Ni-Fe层、Ni-Pd层和Fe-Co-Ni层。

4.根据权利要求1所述的硬盘磁头晶片的生产方法，其特征在于：所述步骤（2）中合金层的电镀过程中酸活化溶液为：10L酸活化溶液中含有质量浓度为37%的盐酸的体积为500ml、去离子水10L和十二烷基硫酸钠 2.0g，酸活化时间为1min，电镀过程中根据电镀合金层的不同设置不同的电镀条件。

5.根据权利要求1所述的硬盘磁头晶片的生产方法，其特征在于：所述步骤（3）中涂布光刻胶的厚度为6.0~6.5μm。

6.根据权利要求1所述的硬盘磁头晶片的生产方法，其特征在于：所述步骤（3）中溅射Al₂O₃晶体的厚度为7.0~7.5μm。

7.根据权利要求1所述的硬盘磁头晶片的生产方法，其特征在于：所述步骤（3）中的研磨时间为30min。