[发明专利]一种补偿走离和静态双折射的KTP调Q参量双功能器件有效
| 申请号： | 201210511359.6 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102983490A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 张玉萍;张会云;张洪艳;刘蒙;尹贻恒 | 申请（专利权）人： | 山东科技大学 |
| 主分类号： | H01S3/115 | 分类号： | H01S3/115;H01S3/109 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266590 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 补偿 静态 双折射 ktp 参量 功能 器件 | ||
1. 一种补偿走离和静态双折射的KTP调Q参量双功能器件，包括外壳、电极、电光晶体，其特征在于：
电光晶体包括四块满足Ⅱ类参量临界相位匹配的KTP晶体，从左到右依次设置第一块KTP晶体（1）、相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）、相对第一块KTP晶体（1）旋转180°放置的第三块KTP晶体（3）和相对第三块KTP晶体（3）旋转90°放置的第四块KTP晶体（4）；
在第一块KTP晶体（1）的上通电面镀金膜（5），下通电面镀金膜（6），在第二块KTP晶体（2）的前通电面镀金膜（7），后通电面镀金膜（8），在第三块KTP晶体（3）的上通电面镀金膜（9），下通电面镀金膜（10），在第四块KTP晶体（4）的前通电面镀金膜（11），后通电面镀金膜（12）；从第一块KTP晶体（1）的上通电面镀金膜（5）、第二块KTP晶体（2）的前通电面镀金膜（7）、第三块KTP晶体（3）的下通电面镀金膜（10）和第四块KTP晶体（4）的后通电面镀金膜（12）引出金线，连接到正电极；从第一块KTP晶体的下通电面镀金膜（6）、第二块KTP晶体的后通电面镀金膜（8）、第三块KTP晶体的上通电面镀金膜（9）和第四块KTP晶体（11）的前通电面镀金膜引出金线，连接到负电极。
2. 根据权利要求1所述的一种补偿走离和静态双折射的KTP调Q参量双功能器件，其特征在于：
第一块KTP晶体（1）、相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）、相对第一块KTP晶体（1）旋转180°放置的第三块KTP晶体（3）和相对第三块KTP晶体（3）旋转90°放置的第四块KTP晶体（4）均为低电导率的KTP晶体。
3. 根据权利要求1所述的一种补偿走离和静态双折射的KTP调Q参量双功能器件，其特征在于：
第一块KTP晶体（1）、相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）、相对第一块KTP晶体（1）旋转180°放置的第三块KTP晶体（3）和相对第三块KTP晶体（3）旋转90°放置的第四块KTP晶体（4）采用Ⅱ类简并参量临界相位匹配，切割角度为q=52.3°，j=0°。
4. 根据权利要求1所述的一种补偿走离和静态双折射的KTP调Q参量双功能器件，其特征在于：
第一块KTP晶体（1）、相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）、相对第一块KTP晶体（1）旋转180°放置的第三块KTP晶体（3）和相对第三块KTP晶体（3）旋转90°放置的第四块KTP晶体（4）的通光面为正方形。
5. 根据权利要求1所述的一种补偿走离和静态双折射的KTP调Q参量双功能器件，其特征在于：
第一块KTP晶体（1）、相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）、相对第一块KTP晶体（1）旋转180°放置的第三块KTP晶体（3）和相对第三块KTP晶体（3）旋转90°放置的第四块KTP晶体（4）相对的内通光面用绝缘透明的光胶相连，外通光面镀1064nm和2128nm双色增透膜。
6. 根据权利要求1所述的一种补偿走离和静态双折射的KTP调Q参量双功能器件，其特征在于：
第一块KTP晶体（1）、相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）、相对第一块KTP晶体（1）旋转180°放置的第三块KTP晶体（3）和相对第三块KTP晶体（3）旋转90°放置的第四块KTP晶体（4）依次放置，内通光面和外通光面镀1064nm和2128nm双色增透膜。
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