[发明专利]薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于其包括：

栅极；

半导体层，具有相对的第一端与第二端；

绝缘层，配置于所述栅极与所述半导体层之间；

源极，夹持所述半导体层的所述第一端；以及

漏极，夹持所述半导体层的所述第二端。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于所述绝缘层具有背对所述栅极的第一表面，所述半导体层具有面向所述栅极的第二表面，所述源极具有：

第一电极部，连接至所述半导体层的所述第一端；以及

第二电极部，连接至所述第一电极部与所述半导体层的所述第一端，其中至少部分所述第二电极部配置于所述第一表面与所述第二表面之间，且

所述漏极具有：

第三电极部，连接至所述半导体层的所述第二端；以及

第四电极部，连接至所述第三电极部与所述半导体层的所述第二端，其中至少部分所述第四电极部配置于所述第一表面与所述第二表面之间。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于所述第二电极部与所述第四电极部分别位于所述栅极在所述第二表面上的正投影的相对两侧。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于所述第二电极部与所述正投影不重叠，且所述第四电极部与所述正投影不重叠。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于所述半导体层更具有背对所述栅极的第三表面，所述第一电极部从所述第一端沿着所述第三表面往所述第三电极部延伸至第一位置，所述第三电极部从所述第二端沿着所述第三表面往所述第一电极部延伸至第二位置，所述第一位置在所述第一表面上的第一正投影介于所述第二电极部与所述第二位置在所述第一表面上的第二正投影之间，所述第二正投影位于所述第一正投影与所述第四电极部之间，且所述第二电极部、所述第一正投影、所述第二正投影与所述第四电极部彼此互相分离。

6.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于所述第二电极部与所述第四电极部的厚度各为2纳米至300纳米。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于所述第二电极部与所述第四电极部的厚度各为10纳米至100纳米。

8.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于所述第二电极部与所述第四电极部的材料为金属、金属氧化物或其组合。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于所述第二电极部与所述第四电极部的材料包括钼铬合金、铝钼合金、钼金属、铜金属、氧化铟锡或其组合。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于所述半导体层的材料为金属氧化物半导体。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于所述金属氧化物半导体包括氧化铟锌、氧化锌、掺铝氧化锌、氧化铟镓锌或其组合。

12.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于其更包括基板，其中所述栅极配置于所述基板与所述半导体层之间。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于其更包括：

保护层，覆盖所述源极、所述半导体层及所述漏极，其中所述保护层具有贯孔，所述贯孔暴露出至少部分所述漏极；以及

导电材料，填充于所述贯孔中，并覆盖部分所述保护层。

14.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于其更包括基板，其中所述半导体层配置于所述基板与所述栅极之间。

15.如权利要求14所述的薄膜晶体管，其特征在于其更包括：

保护层，覆盖所述栅极及所述绝缘层，其中所述保护层具有第一贯孔，所述绝缘层具有第二贯孔，所述第一贯孔与所述第二贯孔连通并暴露出至少部分所述漏极；以及

导电材料，填充于所述第一贯孔与所述第二贯孔中，并覆盖部分所述保护层。