[发明专利]一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法，其特征在于，引入立方氮化硼(c-BN)作为腔面钝化膜。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法，其特征在于，该结构包括：1为半导体激光器bar条，2为前腔面，3为后腔面，4为c-BN钝化膜，5为增透膜，6为高反膜。

4.根据权利要求1所述的一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：

1)半导体激光器在空气中解理成条后，装入镀膜专用夹具，然后放入磁控溅射真空室；

2)离子预清洗腔面上的氧化物和杂质；

3)在磁控溅射系统的高真空室内，本底真空4*10^-7Pa，沉积气压2～3Pa，以六方晶氮化硼(h-BN)为靶材，衬底加高频交流电源偏压装置，以控制粒子对衬底的轰击，衬底偏压-10～120V，射频功率150～250W，衬底由氮化硼电阻加热元件组成，控制衬底温度在800～900℃，，充入工作气体氩气和氮气，流量分别为10sccm和20sccm，在激光器bar条的前腔面镀c-BN钝化膜0.5～3小时；

4)前腔面在沉积c-BN钝化膜之后，根据现有技术在前腔面镀增透膜；

5)夹具翻面后，对激光器bar条的后腔面进行工艺处理，从粒子预清洗到c-BN钝化膜的沉积，重复与前腔面相同的工艺工作；

6)后腔面在沉积c-BN钝化膜之后，根据现有技术在后腔面镀高反膜。

5.根据权利要求1所述的一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法，其特征在于，可以采用不同的制备c-BN膜的方法，不局限于磁控溅射法。

6.根据权利要求1所述的一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法，其特征在于，在进行制备方法的步骤3)中沉积c-BN薄膜时，根据制备方案的不同，选取的工艺控制条件也不同，本方案采用的制备法是“两步制备法”。