[发明专利]断线修补方法和断线修补结构有效
申请号: | 201210513181.9 | 申请日: | 2012-12-04 |
公开(公告)号: | CN102981291A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 郑文达 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 断线 修补 方法 结构 | ||
1.一种断线修补方法,其特征在于,包括步骤:
形成连接扫描线的断线两端的第一修补线;
形成覆盖所述第一修补线的绝缘层;
形成连接数据线的断线两端的第二修补线,所述第二修补线与第一修补线的交叉处具有所述绝缘层。
2.根据权利要求1所述的断线修补方法,其特征在于,所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤具体包括:
形成部分覆盖第一修补线的绝缘层。
3.根据权利要求1所述的断线修补方法,其特征在于,所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤具体包括:
预先设置第二修补线的形成位置;
根据设置的第二修补线的形成位置确定第一修补线与第二修补线的交叉位置;
在第一修补线与第二修补线的交叉位置形成覆盖该交叉位置的绝缘层。
4.根据权利要求1所述的断线修补方法,其特征在于,所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤具体包括:
涂布绝缘膜层;
对该绝缘膜层进行涂光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻制程,形成所述绝缘层。
5.根据权利要求1至4任一项所述的断线修补方法,其特征在于,所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤之后还包括:
固化所述绝缘层。
6.根据权利要求5所述的断线修补方法,其特征在于,所述固化所述绝缘层的步骤具体为:
对所述绝缘层进行烘烤或对所述绝缘层进行紫外光照射。
7.根据权利要求1所述的断线修补方法,其特征在于,所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤具体包括:
形成覆盖整条第一修补线的绝缘层。
8.一种断线修补结构,用于修补TFT阵列基板中扫描线与数据线的交叉处的断线,其特征在于,包括连接扫描线的断线两端的第一修补线、连接数据线断线两端的第二修补线及设置在第一修补线与第二修补线交叉处的绝缘层。
9.根据权利要求8所述的断线修补结构,其特征在于,所述绝缘层覆盖整条第一修补线。
10.根据权利要求8所述的断线修补结构,其特征在于,所述绝缘层覆盖部分第一修补线。
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