[发明专利]用于BSI图像传感器的背面结构

权利要求书

1.一种用于形成图像传感器的方法，包括：

在半导体表面的上方形成抗反射涂层，所述半导体支撑光电二极管；

在所述抗反射涂层的上方形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层的上方形成缓冲氧化物层；以及

通过蚀刻选择性地去除所述缓冲氧化物层的一部分，所述蚀刻停止层在所述蚀刻期间保护所述抗反射涂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻停止层的折射率值等于所述抗反射涂层的折射率值。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述蚀刻之后，在所述蚀刻停止层的上方形成钝化膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述蚀刻停止层的折射率值等于所述钝化膜的折射率值。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述蚀刻停止层的折射率值介于所述抗反射涂层的折射率值和所述钝化层的折射率值之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻停止层的蚀刻选择性大于所述缓冲氧化物层的蚀刻选择性。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地去除包括：去除所述光电二极管上方的所述缓冲氧化物层的所述一部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地去除包括：在不从所述图像传感器的外围区去除所述缓冲氧化物层的情况下，从所述图像传感器的传感器阵列区去除所述缓冲氧化物层。

9.一种用于形成图像传感器的方法，包括：

在半导体的表面的上方形成抗反射涂层，所述半导体支撑光电二极管；

在所述抗反射涂层的上方形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层的上方形成缓冲氧化物层；

在所述缓冲氧化物层的上方形成金属屏蔽层；

在所述金属屏蔽层的一部分的上方设置掩模以限定外围区和阵列区，所述阵列区包括所述光电二极管；以及

通过蚀刻去除所述阵列区中的所述金属屏蔽层和所述缓冲氧化物层，所述蚀刻停止层在所述蚀刻期间保护所述阵列区中的所述抗反射涂层。

10.一种图像传感器，包括：

半导体，设置在阵列区和外围区中，所述半导体支撑所述阵列区中的光电二极管；

抗反射涂层，设置在所述半导体的表面的上方；

蚀刻停止层，设置在所述抗反射涂层的上方，所述阵列区中的所述光电二极管上方的所述蚀刻停止层的厚度小于所述外围区中的所述蚀刻停止层的厚度；以及

缓冲氧化物层，设置在所述外围区中的所述蚀刻停止层上方。