[发明专利]防护通孔失效的方法及其结构有效

专利信息
申请号: 201210513275.6 申请日: 2012-12-04
公开(公告)号: CN103151331B 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: M·D·施罗夫;D·M·雷博;E·O·特拉维斯 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L21/768
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 防护 失效 方法 及其 结构
【权利要求书】:

1.一种用于形成假通孔和功能通孔的方法,包括:

在第一互连层的金属部分和第二互连层的第一金属部分之间形成所述功能通孔;其中在没有所述假通孔时,所述功能通孔因所述第一互连层的金属部分中的空缺集结于所述功能通孔而容易失效;以及

在所述第一互连层的所述金属部分和第三互连层的金属部分之间的保护区中形成所述假通孔,以防过度的空缺到达功能通孔,其中所述第三互连层的金属部分不连接到附加电路,且在所述假通孔处集结的空缺可引起所述假通孔的失效;其中:

通过在第一电介质层中形成多个金属部分形成所述第一互连层,通过在第二电介质层中形成多个金属部分形成所述第二互连层,以及通过在第三电介质层中形成多个金属部分形成所述第三互连层;

所述功能通孔在形成所述第二互连层之后被形成;

所述第一互连层的所述金属部分是具有突出部的第一母线,所述第一互连层进一步包括通过电介质与第一母线分开的第二母线,所述突出部位于第一母线与第二母线之间,其中所述功能通孔与所述第一母线的突出部接触、并与所述第二互连层的所述第一金属部分接触;

其中所述假通孔被与所述功能通孔邻近地对准;以及

第二互连层的所述金属部分包括所述第一金属部分与通过电介质与第一金属部分分开的第二金属部分;所述第一金属部分与所述第一母线的突出部对准、所述第二金属部分与所述第一母线对准,从而在所述第一互连层与第二互连层之间没有空间能够用于与所述功能通孔直接邻近的冗余通孔。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一互连层在所述第二互连层上。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一互连层在所述第三互连层上。

4.根据权利要求1所述的方法,其中在所述第一电介质层中的所述多个金属部分包括铜。

5.根据权利要求1所述的方法,其中在所述第一互连层中,在所述保护区内没有空间能够用于通孔。

6.一种半导体器件,包括:

第一互连层,其具有包括第一金属部分的多个金属部分;

第二互连层,其具有包括第二金属部分的多个金属部分;

第三互连层,其具有包括第三金属部分的多个金属部分;

功能通孔,其耦接到所述第一金属部分和所述第二金属部分;以及

假通孔,其在耦接到所述第一金属部分和所述第三金属部分的所述功能通孔周围的保护区中,以防过度的空缺到达功能通孔,其中所述第三互连层的金属部分不连接到附加电路;

其中在没有所述假通孔时,所述功能通孔因所述第一互连层的金属部分中的空缺集结于所述功能通孔而容易失效;且在所述假通孔处集结的空缺可引起所述假通孔的失效;

所述第一互连层在所述第二互连层上;以及

所述第一金属部分包括有突出部的母线,所述第一互连层的多个金属部分进一步包括与第一金属部分通过电介质而分开的第四金属部分,以将所述突出部限制在第一金属部分与第四金属部分之间;其中所述功能通孔耦接到所述突出部和所述第二金属部分;

其中所述突出部与所述第二金属部分在垂直方向上对齐以在其间耦接所述功能通孔。

7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中所述第一互连层在所述第三互连层上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中所述假通孔耦接到所述突出部。

9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中所述功能通孔从所述突出部的底面延伸,并且所述假通孔与所述突出部的顶面接触。

10.根据权利要求9所述的半导体器件,其中所述假通孔邻近所述功能通孔地对准。

11.根据权利要求10所述的半导体器件,其中没有空间能够用于与所述功能通孔直接邻近的通孔。

12.一种方法,包括:

形成具有包括第一金属部分的多个金属部分的第一互连层;

在所述第一互连层上形成第一层间电介质层;

在所述第一层间电介质层上形成第二互连层,其具有包括第二金属部分的多个金属部分,其中在所述形成所述第二互连层期间,形成通过所述第一层间电介质层从所述第二金属部分到所述第一金属部分的功能通孔;

在所述第二互连层上形成第二层间电介质层;以及

在所述第二层间电介质层上形成第三互连层,其具有包括第三金属部分的多个金属部分,其中在所述形成所述第三互连层期间,形成通过所述第二层间电介质层从所述第三金属部分到所述第二金属部分的假通孔,其中所述假通孔在所述功能通孔的保护区内,以防过度的空缺到达功能通孔,其中所述第三互连层的金属部分不连接到附加电路;

其中在没有所述假通孔时,所述功能通孔因所述第一互连层的金属部分中的空缺集结于所述功能通孔而容易失效,且在所述假通孔处集结的空缺可引起所述假通孔的失效;

形成第一互连层包括:形成位于与第一金属部分相邻的第一侧的第一电介质层;

形成第二互连层包括:形成位于与第二金属部分相邻的第二侧的第二电介质层,所述第二侧与所述第一侧相反;

其中形成所述第一电介质层、所述第二电介质层使得所述第一、第二电介质层分别限制第一、第二金属部分以使所述第一、第二金属部分垂直对齐,并使得在所述第二互连层中,在所述保护区中没有空间能够用于除了所述功能通孔之外的通孔。

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