[发明专利]可编程的多晶硅二极管熔丝器件结构及制造方法无效
| 申请号： | 201210513279.4 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855127A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 仲志华;俞峥 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可编程 多晶 二极管 器件 结构 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.可编程的多晶硅二极管熔丝器件的结构，其特征在于，包括P型掺杂的多晶硅阳极、N型掺杂的多晶硅阴极和金属硅化物；所述金属硅化物覆盖在所述多晶硅阳极和多晶硅阴极上。
2.权利要求1所述多晶硅二极管熔丝器件的制造方法，其特征在于，步骤包括：
1）在P型衬底上通过氧化形成场区；
2）在场区上生长一层多晶硅；
3）在多晶硅区域的两侧分别注入P型杂质和N型杂质，形成P型掺杂的多晶硅阳极和N型掺杂的多晶硅阴极；
4）在多晶硅表面生长一层金属硅化物；
5）制作接触孔和金属导线，引出器件的阳极接触端和阴极接触端。
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