[发明专利]下转换荧光材料的制备方法无效
| 申请号： | 201210513687.X | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102977880A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 李乐良;郑军;左玉华;成步文;王启明;郑智雄 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;南安市三晶阳光电力有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59;C09K11/80;C09K11/61 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 转换 荧光 材料 制备 方法 | ||
1.一种下转换荧光材料的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：取一化学通式为的荧光粉或者制备该荧光粉的原材料；
步骤2：在荧光粉中加入含有Yb3+的粉末；
步骤3：混合搅拌均匀；
步骤4：烧结，形成化学通式为下转换荧光材料，完成制备。
2.根据权利要求1所述的下转换荧光材料的制备方法，其中所述的Yb3+粉末的材料为YbF3或Yb2O3。
3.根据权利要求1所述的下转换荧光材料的制备方法，其中所述的化学通式中的为+2价阳离子，该+2价阳离子包括Sr、Ba、Mg、Ca和Zn中的一种，或及其组合。
4.根据权利要求1所述的下转换荧光材料的制备方法，其中所述的化学通式中的为+1价阳离子或者+3价阳离子，该+1价阳离子或者+3价阳离子包括Li、Na、K、Y、La、Gd和Lu中的一种，或及其组合。
5.根据权利要求1所述的下转换荧光材料的制备方法，其中所述的化学通式中的为+3价阳离子、+4价阳离子或者+5价阳离子，该+3价阳离子、+4价阳离子或者+5价阳离子包括B、Al、Ga、C、Si、Ge或P中的一种，或及其组合。
6.根据权利要求1所述的下转换荧光材料的制备方法，其中所述的化学通式中的A3为-1价阴离子、-2价阴离子或-3价阴离子，该-1价阴离子、-2价阴离子或-3价阴离子包括F、Cl、Br、S或N中的一种，或及其组合。
7.根据权利要求1所述的下转换荧光材料的制备方法，其中所述烧结是采用高温固相法、燃烧法、溶胶-凝胶法、沉淀法或水热法中的一种方法。
8.根据权利要求7所述的下转换荧光材料的制备方法，其中所述采用高温固相法烧结的温度为1000-1500℃。
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