[发明专利]制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法

权利要求书

1.一种制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，包括：

步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底，及在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、n型GaN层、量子阱层和p型GaN层；

步骤2：在p型GaN层上制备金属层；

步骤3：在金属层上转移一衬底；

步骤4：将外延结构中的蓝宝石衬底从非故意掺杂氮化镓层分离；

步骤5：腐蚀，将非故意掺杂氮化镓层向下腐蚀，腐蚀深度到达金属层，形成分离金字塔型阵列；

步骤6：在金字塔型阵列的侧面涂覆绝缘材料；

步骤7：用等离子体处理涂覆绝缘材料，使金字塔型阵列上端的非故意掺杂氮化镓层暴露出来；

步骤8：在涂覆绝缘材料和非故意掺杂氮化镓层的上面沉积一层透明导电薄膜；

步骤9：在透明导电薄膜上通过光刻方法沉积图形金属电极，完成制备。

2.根据权利要求1所述的制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，其中所述的金属层的材料为Au、Sn、Au/Sn合金、Ni、Ag、Pt或Ni/Ag/Pt/Au多层金属，其是采用物理气相沉积、化学气相沉积或分子束外延方法制备。

3.根据权利要求1所述的制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，其中所述的衬底的材料为Cu、W、Ni、CuW合金或Cu/Ni/Cu多层结构，该衬底为柔韧性金属。

4.根据权利要求1所述的制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，其中所述的分离蓝宝石衬底的方法是采用激光剥离或湿法腐蚀剥离的方法。

5.根据权利要求1所述的制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，其中所述的形成金字塔阵列的方法是采用湿法腐蚀或光电化学腐蚀的方法。

6.根据权利要求1所述的制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，其中所述的绝缘材料是硅胶、PMMA或二氧化硅。

7.根据权利要求1所述的制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，其中所述的等离子体处理采用的气体为O₂或N₂，等离子体处理的时间为1-20分钟，等离子体处理的功率为10W-200W。

8.根据权利要求1所述的制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，其中所述的透明导电薄膜的材料为石墨烯薄膜或者碳纳米管具有柔性性质的薄膜，所制备的薄膜是单层或多层。

9.根据权利要求1所述的制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，其中所述的金属电极的材料为Ni、Ag、Pt、Au、Al或Ti，或及其组合。