[发明专利]刻蚀条件的采集方法

权利要求书

1.一种刻蚀条件的采集方法，其特征在于，包括：

提供晶圆；

将晶圆分成至少两类刻蚀区域，并在所述晶圆表面由下至上依次形成介质层和第一掩膜层，所述介质层具有目标厚度；

在第一类刻蚀区域的第一掩膜层中形成第一通孔图形；

采用第一刻蚀条件沿第一通孔图形刻蚀第一类刻蚀区域的介质层，形成贯穿介质层厚度的第一通孔，在刻蚀形成第一通孔的同时去除了第一类刻蚀区域以及其他类刻蚀区域的第一掩膜层和部分厚度的介质层；

在第一通孔内以及剩余厚度的介质层上形成第一补偿层，使剩余厚度的介质层与第一补偿层的厚度之和与介质层的目标厚度相等；

在所述第一补偿层上形成第二掩膜层；

在第二类刻蚀区域的第二掩膜层中形成第二通孔图形；

采用第二刻蚀条件沿第二通孔图形刻蚀第二类刻蚀区域的第一补偿层和介质层，形成至少贯穿介质层厚度的第二通孔，在刻蚀形成第二通孔的同时去除了第二类刻蚀区域以及其他类刻蚀区域的第二掩膜层、部分厚度或全部厚度的第一补偿层；

当将晶圆分成两类以上刻蚀区域时，按上述形成第二通孔的方法，在不同刻蚀条件下，于其他类刻蚀区域的补偿层和介质层中形成相应的通孔。

2.如权利要求1所述的刻蚀条件的采集方法，其特征在于，所述介质层和补偿层的材料为低ｋ材料或者超低ｋ材料。

3.如权利要求2所述的刻蚀条件的采集方法，其特征在于，所述补偿层与介质层的ｋ值相同。

4.如权利要求2所述的刻蚀条件的采集方法，其特征在于，所述补偿层与介质层的ｋ值不同。

5.如权利要求4所述的刻蚀条件的采集方法，其特征在于，在所述补偿层上形成掩膜层之前，还包括：对所述补偿层进行离子注入，使进行离子注入后的补偿层的ｋ值与介质层的ｋ值相同。

6.如权利要求5所述的刻蚀条件的采集方法，其特征在于，所述离子注入的离子为磷离子、砷离子或者硼离子。

7.如权利要求2所述的刻蚀条件的采集方法，其特征在于，形成补偿层的方法为旋涂工艺。

8.如权利要求1所述的刻蚀条件的采集方法，其特征在于，在形成补偿层之前，还包括：对所述通孔的线宽进行测量，获取通孔的线宽。

9.如权利要求1所述的刻蚀条件的采集方法，其特征在于，所述掩膜层为单层结构，所述掩膜层的材料为光刻胶。

10.如权利要求1所述的刻蚀条件的采集方法，其特征在于，所述掩膜层为多层结构，所述掩膜层由下至上依次包括图形膜层、介质层抗反射层和光刻胶层。

11.如权利要求10所述的刻蚀条件的采集方法，其特征在于，所述图形膜层的材料为无定形碳，所述介质层抗反射层的材料为氮化硅或者氮氧化硅。