[发明专利]一种用于同轴电缆的发泡成核母料及其制备方法有效
申请号: | 201210514207.1 | 申请日: | 2012-12-05 |
公开(公告)号: | CN103012918A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 刘俊卿 | 申请(专利权)人: | 济南赛辰高分子材料有限公司 |
主分类号: | C08L23/06 | 分类号: | C08L23/06;C08L27/18;H01B3/44;C08J3/22;B29B9/06;B29C47/92 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 郑自群 |
地址: | 250000 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 同轴电缆 发泡 成核 料及 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种同轴电缆,特别是一种用于同轴电缆的发泡成核母料及其制备方法。
背景技术
同轴长途通信电缆通常由核心导体和挤出到核心导体周围的较厚闭孔泡沫层制成。这一覆盖了泡沫体的半导体被薄金属导体包封,而该薄金属导体又被保护整个电缆不受外部侵蚀的聚合物薄层所包封。同轴电缆广泛用在通信工业中。同轴电缆通常包括内导体、外导体和泡沫绝缘层。其它组件可以包括紧邻绝缘材料的内皮和外皮,和在同轴电缆外部周围形成护套的套管。
普通的通讯同轴电缆,从缆芯由内到外依次是内部导体,环绕绝缘层,金属蔽网和护套,自从美国贝尔实验室1929年发明同轴电缆以来,已经过了数十年历史。在这期间,同轴电缆的绝缘层的绝缘料主要经过以下几个发展期,第一代电缆采用实芯材料作为填充介质,由于它对高频衰减大,现在通常主要把它用于传输视频信号;第二代同轴电缆以化学发泡聚乙烯材料作绝缘料,虽然高频传输特性有所提高,但其发泡度在50%以下,而且有化学发泡剂残留物,影响介电性能;第三代同轴电缆以藕芯纵孔聚乙烯材料作绝缘料,它的高频衰减达到目前新型电缆的水平,但化学发泡电缆和纵孔藕芯电缆的防潮特性都不好,藕状体易渗水,其使用寿命不长;第四代同轴电缆采用物理发泡泡沫材料作为绝缘料,物理发泡电缆的发泡度可达80%。介质主要成分是氮气,气泡之间是相互隔离的。因此,它具有防潮和低损耗的特点,是目前综合特性最好的同轴电缆。
国内使用的同轴电缆发泡成核母料多是以二氧化硅、滑石粉、AC等作为发泡成核剂。在保证制品的发泡稳定性和泡孔均匀上效果都不错。但因以上几种成核剂都是极性材料,在高频信号传输过程中会产生介电损耗,造成信号衰减。
发明内容
本发明提供了一种用于同轴电缆的发泡成核母料及其制备方法,它解决了国内使用的同轴电缆发泡成核母料多是以二氧化硅、滑石粉、AC等作为发泡成核剂,在高频信号传输过程中会产生介电损耗,造成信号衰减等问题。
本发明所采用的技术方案为:
一种用于同轴电缆的发泡成核母料,按照重量份计,包括聚乙烯70~90,聚四氟乙烯微粉5~15,超高分子量聚乙烯微粉4~12,抗氧剂1~3,其中聚四氟乙烯微粉和超高分子量聚乙烯微粉为发泡成核剂。
本发明的优选方案:一种用于同轴电缆的发泡成核母料,按照重重量份的计,包括聚乙烯80,聚四氟乙烯微粉10,超高分子量聚乙烯微粉8,抗氧剂2。
本发明的优选方案:所述的超高分子量聚乙烯微粉的粒径为:3-5微米。
本发明的优选方案:所述的聚四氟乙烯微粉按照重量百分比计,3-5微米的聚四氟乙烯微粉为3~10%,1-3微米的聚四氟乙烯微粉为7~20%,0.5-1.0微米的聚四氟乙烯微粉为70~90%。
本发明的优选方案:所述的聚四氟乙烯微粉按照重量百分比计,3-5微米的聚四氟乙烯微粉为5%,1-3微米的聚四氟乙烯微粉为15%,0.5-1.0微米的聚四氟乙烯微粉为80%。
本发明的优选方案:所述的抗氧剂为分子结构对称的抗氧剂。
本发明的优选方案:所述的分子结构对称的抗氧剂为抗氧剂1010和/或抗氧剂168。
本发明的一种用于同轴电缆的发泡成核母料的制备方法,它包括以下步骤:首先按照重量份计,称取聚乙烯70~90份,聚四氟乙烯微粉5~15份,超高分子量聚乙烯微粉4~12份,抗氧剂1~3份,混合均匀,然后投入到捏合式挤出机中,捏合式挤出机的各区温度为:一区120℃,二区135℃,三区135℃,四区140℃;机头135℃条件下挤出拉条造粒,即得用于同轴电缆的发泡成核母料。
本发明的制备方法的优选方案:所述超高分子量聚乙烯微粉的粒径为3-5微米;所述聚四氟乙烯微粉按照重量百分比计:3-5微米的聚四氟乙烯微粉为3~10%,1-3微米的聚四氟乙烯微粉为7~20%,0.5-1.0微米的聚四氟乙烯微粉为70~90%;所述的抗氧剂为所述的分子结构对称的抗氧剂。
本发明的制备方法的优选方案:所述的分子结构对称的抗氧剂为抗氧剂1010和/或抗氧剂168。
本发明的一种用于同轴电缆的发泡成核母料与美国陶氏DFNA-0078NT物理发泡成核剂的介电性能对比见表1。
表1本发明的发泡成核母料与DFNA-0078NT的介电性能对比
由表1可以,本发明的一种用于同轴电缆的发泡成核母料的从5~1125MHz之间的介电性能都高于标准要求,并且介电性能也优于美国陶氏DFNA-0078NT物理发泡成核剂。
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