[发明专利]射频离化硒源装置

权利要求书

1.射频离化硒源装置，包括带有Se源料桶的Se源蒸发区和带有喷嘴的气体输出区，其特征在于：所述Se源蒸发区和气体输出区之间连接有气体离化器；所述气体离化器包括带有法兰的离化器壳体，离化器壳体内壁置有绝缘层，绝缘层内有两个电极，两个电极之间的空隙形成离化腔室；离化腔室与Se蒸汽输入管和Ar气输入管相通，两个电极引出与适配器两端连接的电极接线柱；露在表面的输气管路均包有热保护装置。

2.根据权利要求1所述的射频离化硒源装置，其特征在于：所述气体离化器下端带有法兰，离化器壳体为圆柱形不锈钢壳体，离化器壳体内壁的绝缘层为热塑性塑料，热塑性塑料的上部分为台阶孔状、下部分为圆柱轴状；一个电极为外壁包于台阶孔状热塑性塑料内壁的环形电极，另一个电极为位于环形电极中心处的柱状电极；绝缘层的下部分为圆柱轴状的热塑性塑料；Se蒸汽输入管、Ar气输入管和电极接线柱通过陶瓷密封穿过所述热塑性塑料的下部分通向离化腔室；所述热保护装置由输气管路上自内至外的热保护层、热屏蔽层和水冷保护层构成；所述热保护层为石棉，热屏蔽层为镍层，所述水冷保护层为空中通水的橡胶套。

3.根据权利要求1所述的射频离化硒源装置，其特征在于：所述气体离化器上、下两端均带有法兰，离化器壳体为方形不锈钢壳体，离化器壳体内壁的绝缘层为中心为方形空腔的热塑性塑料，方形空腔相对应的两壁上各置有一个平板状电极，两个电极相互平行，方形空腔形成离化腔室；下端的法兰通向Se蒸汽输入管，上端的法兰通向气体输出区；Ar气输入管和电极接线柱通过陶瓷密封穿过所述热塑性塑料通向离化腔室；所述热保护装置由输气管路上自内至外的热保护层、热屏蔽层和水冷保护层构成；所述热保护层为石棉，热屏蔽层为镍层，所述水冷保护层为空中通水的橡胶套。

4.根据权利要求1-3中一项所述的射频离化硒源装置，其特征在于：所述Se源料桶靠近上边缘的的桶壁上插有两根构成十字形的连接杆，Se源料桶外壁上缠绕有两端连接在PLC加热控制器上的Se源料桶加热丝，Se源料桶置于顶部带有卡槽的蒸发区外壳体中，卡槽卡装在Se源料桶的连接杆上，Se源料桶与蒸发区外壳体之间置有所述热保护装置；蒸发区外壳体上端的卡槽卡装于连接杆上；装有Se源料桶的蒸发区外壳体顶端有高铬含量的铁素体不锈钢材料料筒上沿和料筒盖；圆圈状的料筒上沿上端面制有料筒上沿刀口，料筒盖的中心处制有Se蒸汽输出口、Se蒸汽输出口旁制有填料口，料筒盖的下端面制有料筒盖刀口，料筒上沿刀口和料筒盖刀口经铜垫圈密封咬合成一体，料筒上沿与料桶盖通过禁锢螺栓连接后，料筒上沿与Se源料桶通过氩弧焊连接成一体，经螺钉与蒸发区外壳体密封固装成一体；带有法兰的填料管的法兰一端朝上，填料管另一端与填料口密封亚弧焊接成一体；填料管的法兰端面上有密封盖。

5.根据权利要求4所述的射频离化硒源装置，其特征在于：所述气体输出区包括带有法兰的高铬含量的铁素体不锈钢气体输出腔管，法兰上有腔管固定孔，气体输出腔管外壁套上连接座，连接座与腔管固定孔和放有离化器壳体输气管路的法兰由螺栓密封固装成一体；气体输出腔管外壁套上高铬含量的铁素体不锈钢加热套筒，所述腔管加热套筒上制有螺旋状的线槽，线槽上缠绕有套筒加热丝，腔管加热套筒上还缠绕有一圈热偶线；缠绕有加热丝和热偶线的腔管加热套筒外面套有底端带有走线口的高铬含量的铁素体不锈钢加热套筒保护管，所述套筒加热丝和热偶线的端部从走线口引出；气体输出腔管上端内壁密封氩弧焊接有连接整流片、中心处为喷嘴的碳喷嘴整流装置，所述碳喷嘴整流装置和整流片构成喷嘴部分。