[发明专利]太阳电池模块的制造方法以及制造装置有效
申请号: | 201210514749.9 | 申请日: | 2012-12-04 |
公开(公告)号: | CN103165747A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 山本英明;川隅幸宏;渡边胜义;齐藤正行;中村秀男 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立工业设备技术 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张靖琳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 模块 制造 方法 以及 装置 | ||
技术领域
本发明涉及将多个背面电极型太阳电池单元组装到配线薄片而制造太阳电池模块时所使用的太阳电池模块的制造方法以及制造装置。
背景技术
将作为可再生能量的太阳能变换为电能并发电的太阳电池,受到近来地球环境保护的趋势高涨的影响,作为能够对应地震灾害后的电力不足的下一世代的能源而为人瞩目。在当前主流的太阳电池中,分别在电池单元中的太阳光的受光面侧以及背面侧设有用于取出发电得到的电流的电极。受光面侧的电极在电池单元上形成影子,所以该影子的部分的电池单元不入射太阳光。也即,该影子部分的电池单元不贡献发电,所以导致光电变换效率的降低。
在消除这样的不良使光电变换效率提高的目的下,例如,专利文献1公开了一种所谓的背面电极型太阳电池,其为了取出发电而得的电流,将包含此前一直设于受光面侧的电极的所有电极都设于背面侧。专利文献1中的背面电极型太阳电池单元具有:形成于半导体基板的背面侧的第1导电型用电极以及第2导电型用电极;以及在该背面侧但设于形成第1导电型用电极以及第2导电型用电极的区域之外、用于进行太阳电池单元的背面电极与配线薄片的配线图案的对位的校准标记。
根据专利文献1的技术,除了对光电变换效率的提高做出贡献之外,还能高精度地完成太阳电池单元的背面电极画出的电极图案与配线薄片的配线图案的对位。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2011-151262号公报
发明内容
然而,专利文献1所记载的背面电极型太阳电池中,必须把所有用于取出发电而得的电流的电极都图案化而形成于太阳电池单元的背面侧。所以,在太阳电池单元的背面侧需要各电极的微细化以及电极间的窄间距化。其结果,背面电极型太阳电池模块的制造工序与所谓的表面电极型太阳电池模块的工作相比极为困难。相关制造工序的困难化不仅使量产性降低,还成为使产品成品率降低的主要原因。
但是,专利文献1对于能够应对背面电极型太阳电池模块的制造工序的困难化的、能够抑制量产性的降低及产品成品率的降低的制造技术,既没有公开也没有给出技术启示。
本发明是为了解决背面电极型太阳电池模块的制造技术中的上述问题而开发的,其目的在于在将背面电极型太阳电池单元组装到配线薄片而制造太阳电池模块时,抑制量产性的降低和产品成品率的降低。
本发明的太阳电池模块的制造方法是将多个背面电极型太阳电池单元组装到配线薄片而制造太阳电池模块时所用的太阳电池模块的制造方法,其最主要的特征在于,具有以下工序:以使背面电极朝向外侧的状态使用单元供给部将所述多个单元搭载于多个单元搭载头部的各个上的工序;以及在使所述配线薄片上画出的配线图案与所述单元的所述背面电极画出的电极图案的相对位置关系匹配的状态下,用多个结合动作部使搭载于所述多个单元搭载头部的各个上的所述多个单元结合组装于所述配线薄片的工序,其中,在使所述多个单元结合组装于所述配线薄片的工序中,所述多个单元以在所述配线薄片的列方向错开地画出交错状的轨迹的方式组装于所述配线薄片。
根据本发明,能够在将多个背面电极型太阳电池单元组装到配线薄片而制造太阳电池模块时抑制量产性的降低及产品成品率的降低。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式中的太阳电池模块制造装置的概略结构的框图。
图2A是用本发明的实施方式中的太阳电池模块制造装置制造的太阳电池模块半成品的外观图。
图2B是表示作为太阳电池模块的构成部材的配线薄片的说明图。
图2C是从背面侧观察作为太阳电池模块的构成部材的太阳电池单元的外观图。
图2D是关注某个太阳电池单元从背面侧观察太阳电池模块的部分放大图。
图3A是表示本发明的实施方式中的太阳电池模块制造装置的机构部的整体结构的斜视图。
图3B是表示单元供给部的斜视图。
图3C是表示位置姿态调整部的周边构造的斜视图。
图3D是表示具有配线薄片供给部的补给机构的概略构造的斜视图。
图3E是该补给机构的概略构造的斜视图。
图3F是表示在图3D、图3E所示的配线薄片供给部中、保持辊状的配线薄片的筒管保持体的输送机构的说明图。
图3G是放大地表示作为本发明的实施方式中的太阳电池模块制造装置的构成部材的配线薄片供给部的斜视图。
图3H是放大地表示该配线薄片供给部的斜视图。
图3I是放大地表示该配线薄片供给部的斜视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的