[发明专利]硅-玻璃键合界面金属导线与悬空可动结构间电荷释放法

权利要求书

1.一种针对硅-玻璃阳极键合双层结构MEMS器件在键合时界面的金属导线与悬空可动结构间电荷释放的方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：

一、在器件版图的悬空可动结构上设计一种电荷释放辅助结构，完成键合后，可方便去除；

二、通过该电荷释放辅助结构，金属引线与所有硅基悬空可动结构实现接触，实现所有“孤立”在玻璃圆片上的金属信号传输网络与硅基悬空可动结构形成电信号通路，键合时利用键合对准机，对准硅片与玻璃片，图形有良好的接触；在1500MPa的作用下悬空可动结构与金属引线间通过电荷释放辅助结构实现欧姆接触；

三、阳极键合过程中玻璃里面的Na₂O在360℃、电压1000V下产生的电离成Na⁺和O^2-，在外加电场作用下Na⁺向阴极漂移，从而在玻璃-硅的界面处形成带负电荷O^2-的耗尽层，与带正电的硅片形成很强的静电引力；  

四、通过干法刻蚀实现电荷释放辅助结构的去除，恢复器件原有的设计和性能。

2.根据权利要求1所述的一种针对硅-玻璃阳极键合双层结构MEMS器件在键合时界面的金属导线与悬空可动结构间电荷释放的方法，其特征是所述的悬空可动结构是用硅片刻蚀深槽制备的，同时保留静电释放结构不被刻蚀，即完成静电释放结构的制备。

3.根据权利要求1所述的一种针对硅-玻璃阳极键合双层结构MEMS器件在键合时界面的金属导线与悬空可动结构间电荷释放的方法，其特征是所述的键合时利用键合对准机，使硅片上电荷释放辅助结构与金属导线接触压紧形成良好的电学通路。

4.根据权利要求1所述的一种针对硅-玻璃阳极键合双层结构MEMS器件在键合时界面的金属导线与悬空可动结构间电荷释放的方法，其特征是所述的电荷释放辅助结构的宽度要小于金属线的宽度，电荷释放辅助结构的位置在金属线的上面，避免电荷释放辅助结构与衬底玻璃键合，导致后端无法去除。

5.根据权利要求2所述的一种针对硅-玻璃阳极键合双层结构MEMS器件在键合时界面的金属导线与悬空可动结构间电荷释放的方法，其特征是悬空可动结构与玻璃衬底之间通过锚区固定连接。